三星發表12奈米EUV製程DDR5記憶體！SAMSUNG記憶體進入DDR5-7200世代，功耗降低23％、產能提升20％、速度直上7.2Gbps！

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三星發表12奈米EUV製程DDR5記憶體！SAMSUNG記憶體進入DDR5-7200世代，功耗降低23％、產能提升20％、速度直上7.2Gbps！

文．圖／張國華 2022-12-21 15:38:04

三星發表12奈米EUV製程DDR5記憶體了！

隨著記憶體競爭日趨激烈，三星（SAMSUNG）、海力士（sk Hynix）與美光（Micron）三大記憶體廠無不卯足全勁開發更先進製程記憶體，以增加產能、降低功耗、提昇速度，做出更棒的記憶體！先前，三星（SAMSUNG）在2021年12月份宣佈採用了EUV製程開發了14奈米EUV DDR5 DRAM之後。這次，時隔一年，再次宣佈了推出業界最新的12奈米EUV製程DDR5記憶體。

值得注意的是，海力士（sk Hynix）是首家推出DDR5-7200的DDR5高速記憶體顆粒業者，A-Die製程的DDR5記憶體顆粒並已經可以攻上DDR5-7200/7600/7800/8000。三星（SAMSUNG）這次要量產DDR5-7200記憶體顆粒，也將造福玩家，可以享受更高速的記憶體存取速度。

＃連結＝海力士（sk Hynix）是首家推出DDR5-7200的DDR5高速記憶體顆粒業者，A-Die製程的DDR5記憶體顆粒並已經可以攻上DDR5-7200/7600/7800/8000

三星發表12奈米EUV製程DDR5記憶體！

三星（SAMSUNG）今天宣布開發其採用業界首個 12 納米 (nm) 級工藝技術構建的 16(Gb) DDR5 DRAM，並完成與AMD相容性的產品評估。

針對AMD Ryzen 7000系列處理器，完成相容性的產品評估

三星（SAMSUNG）記憶體產品與技術執行副總裁 Jooyoung Lee 表示：「我們的 12 納米範圍 DRAM 將成為推動 DDR5 DRAM 在市場範圍內採用的關鍵推動力。” “憑藉卓越的性能和能效，我們希望我們的新 DRAM 能夠成為下一代計算、數據中心和人工智能驅動系統等領域更可持續運營的基礎。」

這次要量產的是16Gb容量DDR5記憶體顆粒

採用EUV製程，產能提升20％

“創新通常需要與行業合作夥伴密切合作，以推動技術的發展，”AMD 高級副總裁、企業研究員兼客戶、計算和圖形首席技術官 Joe Macri 說。“我們很高興再次與三星合作，特別是推出在‘Zen’平台上經過優化和驗證的 DDR5 內存產品。”這一技術飛躍是通過使用增加電池電容的新型高 κ 材料和改善關鍵電路特性的專有設計技術實現的。結合先進的多層極紫外 (EUV) 光刻技術，新型 DRAM 具有業界最高的芯片密度，可將晶圓生產率提高 20%。

這次，菜用12奈米EUV製程DDR5記憶體，預計將可以使產能提升20％

速度直上7.2Gbps，功耗降低23％

利用最新的 DDR5 標準，三星的 12 納米級 DRAM 將有助於解鎖高達每秒 7.2 Gbps 的速度。這相當於在一秒鐘內處理兩部 30 GB 的 UHD 電影。新 DRAM 的超常速度與更高的能效相匹配。12 納米級 DRAM 的功耗比以前的 DRAM 低 23%，將成為追求更環保運營的全球 IT 公司的理想解決方案。

2023年量產

隨著大規模生產將於 2023 年開始，三星計劃將其基於這種尖端 12 納米級工藝技術構建的 DRAM 產品線擴展到廣泛的細分市場，因為它繼續與行業合作夥伴合作以支持下一代的高速運算。

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