DDR5屁股還沒坐熱、下一世代就準備到來，三星確認DDR6記憶體已在早期研發階段

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DDR5屁股還沒坐熱、下一世代就準備到來，三星確認DDR6記憶體已在早期研發階段

文．圖／Lucky 2022-07-18 11:07:57

DDR5記憶體正式進入市場還不到一年，距離普及也都還有相當的距離，但廠商已經在為下一世代DDR6記憶體進行備戰，半導體大廠三星旗下的封測業務 (TSP) 副總高永寬表示自家正在進行DDR6記憶體的早期研發，並將會用上mSAP封裝技術。

mSAP技術全名稱為Modified Semi-Additive Process，中文比較沒有固定的說法，直接翻譯的話稱作「改良型半加成製程」，主要是透過增加PCB板之間的銅線連接，將線路的寬度縮窄到30um以下，讓主機板的線路密度可以大增，以此在相同載板面積下裝下更多的電子零件。用於記憶體的製作上可以讓單條記憶體模組的容量更大，並實現更高的傳輸速度，目前SK海力士、美光都已經利用此技術生產DDR5記憶體產品。

三星表示，DDR6記憶體的初步設計預計會在2024年的時候完成，不過實際商業性應用則要等到2025年之後。理論上，DDR6記憶體在效能上將會是DDR5的兩倍，在JEDEC規範的頻率下提供12,800 Mbps的傳輸速度，超頻過後更能上看到17,000 Mbps！做為對比，三星自家最快的DDR5記憶體的傳輸速度落在約7,200 Mbps，不難看出兩個世代之間在效能差距方面相當巨大。

DDR4、DDR5、DDR6三種記憶體的傳輸速度對照表。

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