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232層3D V-NAND技術快閃記憶體報到!美光推出Micron 2550 NVMe SSD系列固態硬碟,以PCIe 4.0 x4提供絕佳效能與使用者體驗!

文.圖/洪健翔 2022-12-16 15:00:00
232層3D V-NAND技術快閃記憶體來了,可以提供更高容量與更快速度,成本也再進一步降低!


美光科技宣佈,Micron 2550 NVMe SSD 已正式向全球 PC OEM 客戶出貨,主要應用於主流筆記型電腦和桌上型電腦。美光 2550 SSD 是全球首款採用 200 層以上 NAND 的客戶端 SSD,美光 2550 憑藉其容量和功耗優勢,[1]實現超越競爭對手的效能,顯著提升響應能力,強化使用者體驗;其低功耗特色更有利於延長工作與家用 PC 的電池工作時間。

美光副總裁暨客戶端儲存事業部總經理 Praveen Vaidyanathan 表示:「我們致力於透過這款 SSD 為 PC 使用者提供卓越體驗。全新的美光 2550 SSD 建立在廣泛使用的 PCIe Gen4 架構為基礎,以及採用美光領先業界的 232 層 NAND 技術,並著重於散熱架構和強化電源設計,打造令人驚艷的應用效能和節能效果。」

美光 2550 SSD 能有效加速主流 PC 平台上的應用,包括遊戲、消費者與企業客戶端裝置,並實現更短的響應時間。美光的諸多創新,例如預測性快取的最佳化,提升了使用者體驗,並在 PCMark® 10 基準測試中為新類別產品樹立標杆。[2]與同類競品相比,美光 2550 SSD 在檔案傳輸速度提升 112%,辦公室生產力應用程式的執行速度提升 67%,載入大型遊戲的速度提升 57%,執行內容創作應用程式的速度則提升 78%。它更提供每秒高達 5 GB 的連續讀取效能,及每秒高達 4 GB 的連續寫入效能,分別較上一代 SSD 提升 43% 和 33%。

第一家量產232層3D V-NAND技術快閃記憶體的是美光,也同步推出了Micron 2550 NVMe SSD系列固態硬碟!


美光透過優化啟動或停止自動節能狀態、在控制器中採用先進製程節點,並運用主機記憶體緩衝技術(Host Memory Buffer,HMB)移除 DRAM 以節省功耗。這些創新作法成功達成低於 2.5 毫瓦的電池休眠功耗、低於 150 毫瓦的閒置功耗、以及低於 5.5 瓦的動態功耗,有助於延長電池壽命,以滿足日常運算需求。

Forward Insights 首席分析師 Greg Wong 表示:「我們預期直到 2026 年 PCIe Gen4 仍為筆記型和桌上型電腦的主要介面。像美光 2550 這樣領先的 Gen4 SSD,能創造更佳的使用者體驗,並為 OEM 廠商的系統設計提供良好的儲存解決方案。」

美光 2550 SSD 提供 22x80mm、22x42mm 和 22x30mm 三種外型規格,以及 256GB、512GB 和 1TB 三種容量品項。這些多元選項提供個人電腦系統設計者能針對效能、尺寸、重量和容量組合組靈活性。

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