第三代高頻寬記憶體HBM3在2016年時就已正式發布了，擴大了記憶體容量、也提升了記憶體頻寬，電壓與價格也相對壓低許多，雖說它還不是顯卡的主流DRAM類型，但依舊是一些需要大頻寬的數據中心、伺服器等裝置的記憶體首選，而SK Hynix早前公布了旗下一代HBM3記憶體的規格。



於SK Hynix官網上顯示，其正在開發的HBM3記憶體有望實現5.2Gbps的I/O Speed，比現有的HBM2E還要高了44%；在頻寬方面，HBM2E頻寬最高可達460 GB/s，但HBM3將可獲得665 GB/s，一樣也比現有的DRAM還高了44%，但這或許不是SK Hynix HBM3產品最終的性能，畢竟其他研發商都預計將其旗下的HBM3擴展到7.2 Gbps，比方說使用台積電5奈米RISC-V晶片的SiFive。



另外，SK Hynix於HBM2E上引進了新的散熱技術，讓其可以在相同工作環境下，保持平均攝氏14度的低溫，因此可以想見，或許我們可以在HBM3上看到更好的散熱效果，不過在記憶體容量方面就不太好說了，或許會跟HBM2E差不多？畢竟JEDEC還沒釋出最終的HBM3規範。

不過，SK Hynix最近也是身陷風波啊，近期有報導指出，SK Hynix有24萬片有瑕疵的DRAM在市面上流通，如果回收的話，恐面臨約莫17億美金的損失，對此，SK Hynix表示，部分DRAM的確存在一些小問題，但仍在出廠檢測的合格範圍內，影響不大，正與少部分受影響的使用者進行後續處理，而對於此事，SK Hynix認為係有心者造謠，企圖破壞名譽，目前已報警處理。



但總地來說，假設真的有24萬那麼多的DRAM出問題，依照SK Hynix的市佔率與其影響力來說，全球供應鏈以及DRAM的價格就很可能出現一波災難，而且現在，我們各位都對DRAM有巨大需求啊，為什麼呢？相信各位玩家都心知肚明，假設這謠言是真，那麼各位，就繼續缺貨吧。


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