DRAM / 記憶體 / 超頻記憶體模組
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金士頓全新電競品牌Kingston FURY首波產品在台上市,再揭高效記憶體新紀元
金士頓全新電競品牌Kingston FURY今宣布旗下首波高效能記憶體正式問世,針對各類型遊戲、直播與創作需求推出Kingston FURY Renegade反叛者系列、 Kingston FURY Beast獸獵者系列、Kingston FURY Impact爆擊者系列,無論是追求極致速度的電競好手、尋求實惠超頻方案的主流遊戲愛好者、或者想為筆電與迷你電腦升級的玩家,皆可享有無須妥協的硬體升級方案。 金士頓表示:「我們將透過Kingston FURY持續展現長久以來的熱忱與堅持,提供遊戲玩家和電腦愛好者最頂尖的高效能記憶體和客戶服務。無論你正在尋求簡便實惠的效能升級方案、或者想將裝置效能發揮的淋漓盡致,Kingston FURY豐富的產品陣容,都隨時為你準備就緒。」 隨著新品上市,Kingston FURY也正式發布亞太地區限定主視覺設計,以最貼近玩家的劍士、法師、戰士、刺客、狙擊手等職業角色做發想,以真人搭配2D圖像、象徵玩家可突破現實與遊戲的疆界,在Kingston FURY助力下暢享高沉浸度的遊戲體驗。 對追求極致效能的資深玩家而言,Kingston FURY Renegade反叛者系列DDR4 RGB1記憶體 具備高達4600MHz2的速度及CL15-CL19的低延遲,可完美提升遊戲幀率、讓網路直播順暢無阻,並使賽後精彩畫面剪輯更加快速;除此之外,採Kingston FURY專利紅外線同步技術打造的動態RGB燈效,更可讓遊戲體驗大幅增色。Kingston FURY Renegade反叛者系列DDR4記憶體 則以造型前衛酷炫的黑色散熱搭配同色系PCB板,並提供高達5333MHz2的極致速度與迅捷的CL13-CL20低延遲。此外,以上兩款記憶體皆經Intel® XMP認證、並內建針對Intel最新晶片組特別優化的設定檔,玩家只需在BIOS中選擇該設定檔,即可輕鬆享受效能優勢、制霸遊戲戰場。此系列有8GB-32GB容量的單模組,以及最高達256GB容量的 2 入、4 入與 8 入套組可供選擇。 Kingston FURY Beast 獸獵者系列DDR4記憶體對於主流遊戲玩家而言,是非常實惠的超頻與效能升級解決方案。此系列同樣分為RGB與非RGB版本,速度高達 3733MHz且具備CL15-19的低延遲,可大幅提升遊戲、影像編輯和繪圖運算效能,。其RGB版本具備流暢炫目的燈效,共有8GB-32GB容量的單模組、以及16GB-128GB容量的多入套組可供選擇;而外觀低調時尚的非RGB版本,則具備4GB-32GB容量的單模組、以及8GB-128GB容量的多入套組任君挑選。以上兩款記憶體皆支援Intel XMP和 AMD Ryzen,並具備最高至2666MHz3的PnP自動超頻功能。同系列亦有DDR3記憶體可供選擇。 針對想升級筆電與迷你電腦的玩家,Kingston FURY Impact爆擊者系列SODIMM記憶體將可有效解決系統延遲與卡頓問題、開啟前所未有的細緻遊戲體驗。Kingston FURY Impact 爆擊者系列DDR4記憶體支援 AMD Ryzen和 Intel XMP、容量最高達 64GB,可隨插即用並自動超頻至最高 3200MHz3 的額定頻率,以呼應 Intel 和 AMD 最新的 CPU 技術。插上主機板後無須調整 BIOS 設定,即可輕鬆提升系統效能,而其1.2V 低電壓更可在高效運作的同時,保有低溫、靜音的優勢。此系列亦有速度最高達1866MHz的DDR3記憶體可供選購。 Kingston FURY記憶體兼具頂尖效能與安心品質,以金士頓30年以上的專業經驗為後盾,經過100%原廠測試、且享有終身保固,是遊戲玩家最無須妥協的極致之選。為歡慶新品上市,即日起至9月7日,一系列期間限定促銷活動將於Kingston FURY授權經銷通路盛大開跑,邀你與Kingston FURY一同馳騁遊戲戰場、踏上浩瀚征途! 限定好禮第1重:購買任一金士頓產品、Kingston FURY記憶體或HyperX記憶體,憑發票登錄抽獨顯筆電、50吋液晶電視及SWITCH主機等多項萬元大獎。 限定好禮第2重: 購買指定規格Kingston FURY記憶體與指定金士頓產品,即贈金士頓X中衛限量設計口罩等獨家好禮。 詳細辦法與時間請見活動頁面: 即日起參與社群互動遊戲再抽好禮,詳情請見金士頓粉絲專頁:
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KLEVV科賦DDR4-3200 32GB標準型記憶體,大幅提升系統效能
艾思科 (Essencore) 旗下新興記憶體品牌科賦 (KLEVV),今日宣布旗下DDR4-3200桌上型/筆記型電腦專用記憶體推出更大容量32GB單支版本,為高階使用者提供更優異的擴充選擇。 KLEVV科賦桌上型電腦用記憶體自上市以來,深受廣大消費者喜愛,為使用者升級電腦首選。嚴選高品質SK海力士顆粒,符合JEDEC標準規範,並通過各大主流主機板廠QVL測試,兼容於Intel與AMD系統平台。此次升級的KLEVV科賦U-DIMM標準型記憶體,不僅在3200MHz的疾速下,帶來更高容量的版本,同時也讓重度電腦玩家與影音處理工作者得以享受順暢的操作體驗。 KLEVV科賦筆記型標準記憶體則為行動工作者帶來一大福音,在筆記型電腦受限的空間配置下,單支32GB的超大容量,可完美解決記憶體插槽有限的問題。與桌上型標準記憶體相同,採用精選優質的SK海力士顆粒,經層層測試把關,相容於市面上主流主機板以及系統平台,精巧外觀、卓越效能,進而使筆記型電腦發揮出潛藏的極致表現。 全新32GB版本SO-DIMM/U-DIMM標準型記憶體近日將先後於台灣上市。此外,科賦全系列記憶體產品均提供終身有限保固服務,保障消費者使用權益。KLEVV科賦系列產品在台灣由富基電通股份有限公司 (Afastor) 總代理,在各大網路電商平臺 PChome、momo及實體店面如原價屋、欣亞等均有販售。
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領先群雄 搶佔DDR5嶄新世代,TEAMGROUP ELITE U-DIMM DDR5 全球首發震撼上市
十銓科技自2020年底與原廠達成合作並取得顆粒後,即不斷致力於DDR5記憶體的研究與發展,同時與各大主機板廠攜手合作,確保每一階段的研發過程皆完整通過測試,提供業界最好之品質,今日更是領先業界震撼宣布TEAMGROUP ELITE U-DIMM DDR5首波桌上型記憶體正式出貨,預計全世界消費者可於六月底至七月中於各大EC平台上搶先購買。 首波TEAMGROUP ELITE DDR5記憶體推出的規格為雙通包16GBx2 4800MHz 1.1V CL40-40-40-77,是符合JEDEC協會定義的標準規格,與DDR4世代的標準頻率上限3200MHz相比,提升了50%的速度;而1.1V的低電壓也較前一世代更省電,同時記憶體本身為能讓雜訊干擾降至最低,將電源管理從主機板移至記憶體上,配置了一個電源管理IC(PMIC),可有效控制系統的電源負載。而ELITE DDR5最大的特色為改善了所使用的IC組成架構,由原本的16 Bank提升至32 Bank,比起DDR4多出一倍的存取可用性;且IC更自帶On-die ECC除錯機制,能夠依靠自身功能修復DRAM單元,讓採用DDR5 DRAM的系統擁有更高的穩定性。 目前預期此記憶體將可使用於INTEL 600系列中支援DDR5的主機板上,十銓科技DDR5將於六月底全球領先開賣,首波包含美國Amazon、Newegg、日本Amazon及歐洲各大EC搶先上架,有興趣的玩家們敬請把握搶購,與原廠一同迎接DDR5新世代的榮景。
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SMART Modular世邁科技推出資料中心網通設備專用記憶體模組
全球專業記憶體與儲存解決方案的領導品牌SMART Modular世邁科技(NASDAQ: SGH),宣佈推出高密度DuraMemory™ VLP DIMM及Mini DIMM系列產品,適用於大規模資料中心的網路交換應用,並能大幅提升網路頻寬及可靠度,滿足資料中心對網通設備的嚴苛需求,也持續展現耕耘資料中心網路應用市場的決心。 網通設備的記憶體可決定交換器和路由設備所儲存或傳輸的數據量,但低密度與低品質的記憶體容易造成資料傳輸的瓶頸,因此記憶體的等級與特性將會大大影響資料中心網路的整體效率。 這些資料中心專屬的網通設備,如網路介面卡、路由器與交換器等等,皆已走向高度專業化,同時開發出小而緊湊型的設備發展,加上5G網路持續普及化,如何設計出更有效支援5G網路服務的網通設備已成為一大課題。SMART Modular世邁科技新推出的DuraMemory™ VLP DIMM/Mini-DIMM系列產品,具備超低延遲與高容量等網通設備記憶體所需的特點,讓各類網路架構皆能順暢連接多種設備及系統,最終建構成無縫、自動化的單一完整系統。 SMART Modular世邁科技的高密度DuraMemory™ VLP或ULP DIMM/Mini-DIMM系列記憶體,相當適合超大規模資料中心的網路應用,能將資料中心網路的連接性及吞吐量提升至極致。SMART Modular世邁科技DRAM產品行銷總監Arthur Sainio表示,「SMART Modular世邁科技致力於提供客戶最合適的網通設備記憶體解決方案,不僅能支援所有類型的資料中心網路設備,同時也協助對應各種關鍵任務的使用需求。」 針對資料中心網路設備OEM業者,SMART Modular世邁科技可提供三大效益: 符合資料中心網通設備需求的完整記憶體產品線 專業的資料中心網通設備記憶體設計與支援 長期產品供貨週期,確保設備使用壽命與運作效能
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【尋找微星B560超頻王】超頻小教室(四):記憶體超頻實測與故障排解
在前面的三篇超頻小教室系列文章中,已經向大家介紹了包括記憶體的選購、安裝與Bios設定等需要注意的地方,接下來就是實際進行超頻以及可能遇到的超頻失敗這方面的排解方式囉! 本篇除了針對如何操作記憶體超頻之外,也對於效能實測的部分作介紹,另外順便和玩家們分享記憶體速率、記憶體參數與實際效能的差別,希望可以在參加活動有機會贏取大獎之外,也能進一步的了解到如何透過記憶體的超頻與選擇正確的頻率運作來讓整體的效能更加的提升,當然,好馬要配好鞍,選擇功能與效能皆具備的優良主機板更是不可或缺,還沒入手MSI B560主機板的朋友可得趕快下單了。 ★還沒參加的朋友看這裡→活動直通車 想要將記憶體超頻,基本上就是如上一篇BIOS設定的操作方式直接進入主機板的BIOS中對記憶體相關參數進行微調,只不過玩家可以先依照優先順序分別為:時脈、電壓、CL值等項目來做調整。 一般來說,第一次插入記憶體時,如果記憶體有支援XMP功能的話,進入BIOS後啟動XMP,主機板會自行讀取與載入設定、無須玩家手動調整(會以記憶體標示貼紙的設定來運作),若是不支援XMP功能的版本也不用擔心,基本上也會以標示的預設值來運作,但若出現不開機現象,恐怕就有可能出現相容性問題,可以找記憶體或主機板廠商回報問題(或退換貨),因此在超頻之前可以先查看一下採用的記憶體標示是怎樣的預設值再來做調整參考。 那什麼時候需要手動調整參數? a)想要比預設值更高的頻率或更緊或更鬆的參數。(這裡是針對沒有XMP的記憶體來說,如果支援XMP的話,只要啟動XMP就可以了) b) XMP不開機、手動調整參數看看能不能開機,或者想要比XMP更高的頻率或更緊或更鬆的參數。 在驗證確定能達到官方數值之後,我們便可再次進入BIOS介面進行超頻挑戰啦!一開始,玩家可以先在不改動其他參數的情況下直接微調「時脈」,但不建議一口氣調整太大的幅度,如此重複追加直到主機板無法開機,此時主機板的除錯燈號會停在DRAM,或是出現Memory Overclock Fail的提醒畫面。 當單純提高時脈已無法順利開機後,玩家可以試著微幅調整電壓,以每一次0.5V的形式緩慢追加,倘若電壓來到1.35V之後還是無法成功達到指定時脈時,便需要考慮是否繼續追加電壓或是選擇調整CL值,如果選擇升高電壓則到了1.5V後就建議停手,以防過高的電壓燒毀主機板和記憶體。 不過玩家也不用感到太大的壓力,現今的主機板也多會有防護和警告設計,以微星的主機板來說,當電壓超過BIOS認定的建議值時,數值便會呈現「紅色」,警告此操作可能有損壞硬體的風險。 另外,玩家如果是比較經驗老道的超頻好手,又剛好使用的是Intel平台的話,10代處理器可以嘗試調整CPU SA和CPU IO電壓,而最新的11代處理器可以嘗試CPU SA和新增的CPU IO 2 Voltage (RLK Memory) 選項,藉由調整CPU對記憶體管理方面的電壓,來獲得提高速率的可能。 調整完時脈和電壓,找到最高可開機時脈後,接下來可以嘗試放鬆CL值,繼續把時脈往上超,看看原本無法開機的時脈是否可以開機。通常頻率越高,需要搭配比較鬆的參數來提高成功的機率。不過比較鬆(數字比較大)的CL值會拉長延遲時間,影響效能。本次超頻大賽比的是最高時脈,所以效能就暫時先忽略,以能開機、截圖為主 CL值在調整上「依序」有tCL、tRCD、tRP和tRAS四大項,在數值的調整上,會優先以tCL為主,可以微幅的微調(例如原本tCL為16,則向上+2調升至18),至於其他的數值因為現在的主機板已經相當先進,可以選擇交給主機板自動對應,倘若自動對應失敗,可試著增加更多(如 +4),這部分可能需不斷反覆測試。 最後,記憶體的超頻表現也會和溫度有相關,所以記得要讓主機保持良好的散熱,才能提高成功的機率,有些記憶體已經有加裝散熱片,或許玩家也可以將被動散熱改為主動散熱,例如幫記憶體上方加裝風扇或是改採一些專用的水冷套件等。 另外,記憶體本身也有體質問題,這時候就要看人品了,如果真的嘗試多次接無法順利超頻上去,建議換其他組記憶體試試,畢竟剛好人品爆發的話,一次就超到相當高的頻率也說不定。 超頻的過程中需要頻繁的調整參數,也就相對代表過程會遭遇無數次的失敗(小編也受過無數次打擊),而主機板在面對記憶體數值異常時,通常有兩種表現模式:進入Memory Overclock Fail黑畫面、或EZ Debug燈號停在DRAM、沒有畫面輸出。 進入Memory Overclock Fail畫面相當好解決,只要按下鍵盤的「F1」重新回到BIOS中重新調整參數即可;後者則比較麻煩,需要透過清除CMOS的方式來讓主機板回到初始狀態,其主要的操作方法有兩種: 第一種形式比較簡單,現在的主機板都會配置Clear CMOS的實體按鈕或是腳針,將電腦關機後將其按下或是用螺絲起子觸碰腳針約2~3秒後,再重新開機即可。 第二種形式就要動手一下,同樣是在電腦關機的情況下,將主機板上的水銀電池取下並重新插回,即能夠重新設置BIOS了。 接下來小編簡單實測一下記憶體超頻在效能表現上差異吧!本次測試除了一般的提升頻率之外,也同時測試了高CL值對記憶體的影響,讓大家能夠更清楚超頻的數值與實際體驗的影響。 首先,先將兩條DDR4-2666記憶體提升至DDR4-3200、DDR4-3600,參數設定上,在調成DDR4-3600時將電壓提從1.2提升至1.3V,CL則固定在16,其餘交給主機板自動調整。 根據MaxxMem的結果,記憶體在DDR4-2666的時候,整體成績在27.21 Gb/s,而到了DDR4-3600時,成績則提升到了29.73 Gb/s,有著相當大幅度的提升。 接著我們來看看CL值對於效能表現的影響,在同樣是DDR4-3600的情況下,小編刻意地將tCL一舉從16拉升至32,整題的成績下降到了25.87 Gb/s,效能甚至比DDR4-2666還不如,這也就是為什麼CL值會是超頻最後手段,畢竟它可是會減損整體效能的啊,因此如何在時脈與CL值之間取得平衡,就是記憶體超頻的最奧妙之處。 在超頻的過程中,玩家會面臨不斷遭遇失敗,需要頻繁的在清除CMOS和調整參數之間反覆操作,但為了挑戰自身技術極限、又或是為電腦帶來更好的效能,這都是它的必經之路,請各位玩家不要氣餒,相信皇天不負苦心人,只要多加嘗試,必能找出最佳參數的。說了這麼多,還沒參加的朋友可得動作加快,快把手邊的MSI B560主機板搭配記憶體超超看,截圖以及填寫資料就可以上傳囉! 以上就是超頻教學的全部內容,希望能替各位玩家帶來幫助,再次提醒,千萬別忘了在嘗試的過程中,記得保存與上傳資料到微星的競賽網頁,才能有機會在賽事中脫穎而出,拿下大獎喔!祝大家都能超頻成功~ 超頻小教室(一): 超頻小教室(二): 超頻小教室(三): 超頻小教室(四): ★快來追蹤/加入我們!!! YouTube頻道: FB玩家社團: Instagram頻道: Telegram頻道:
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SK Hynix偷偷公布自家HBM3規格,預計將有665 GB/s頻寬
第三代高頻寬記憶體HBM3在2016年時就已正式發布了,擴大了記憶體容量、也提升了記憶體頻寬,電壓與價格也相對壓低許多,雖說它還不是顯卡的主流DRAM類型,但依舊是一些需要大頻寬的數據中心、伺服器等裝置的記憶體首選,而SK Hynix早前公布了旗下一代HBM3記憶體的規格。 於SK Hynix官網上顯示,其正在開發的HBM3記憶體有望實現5.2Gbps的I/O Speed,比現有的HBM2E還要高了44%;在頻寬方面,HBM2E頻寬最高可達460 GB/s,但HBM3將可獲得665 GB/s,一樣也比現有的DRAM還高了44%,但這或許不是SK Hynix HBM3產品最終的性能,畢竟其他研發商都預計將其旗下的HBM3擴展到7.2 Gbps,比方說使用台積電5奈米RISC-V晶片的SiFive。 另外,SK Hynix於HBM2E上引進了新的散熱技術,讓其可以在相同工作環境下,保持平均攝氏14度的低溫,因此可以想見,或許我們可以在HBM3上看到更好的散熱效果,不過在記憶體容量方面就不太好說了,或許會跟HBM2E差不多?畢竟JEDEC還沒釋出最終的HBM3規範。 不過,SK Hynix最近也是身陷風波啊,近期有報導指出,SK Hynix有24萬片有瑕疵的DRAM在市面上流通,如果回收的話,恐面臨約莫17億美金的損失,對此,SK Hynix表示,部分DRAM的確存在一些小問題,但仍在出廠檢測的合格範圍內,影響不大,正與少部分受影響的使用者進行後續處理,而對於此事,SK Hynix認為係有心者造謠,企圖破壞名譽,目前已報警處理。 但總地來說,假設真的有24萬那麼多的DRAM出問題,依照SK Hynix的市佔率與其影響力來說,全球供應鏈以及DRAM的價格就很可能出現一波災難,而且現在,我們各位都對DRAM有巨大需求啊,為什麼呢?相信各位玩家都心知肚明,假設這謠言是真,那麼各位,就繼續缺貨吧。 ★快來追蹤/加入我們!!! YouTube頻道: FB玩家社團: Instagram頻道: Telegram頻道:
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DDR4-4000 CL14 16GBx2! 芝奇推出全新皇家戟 - 尊爵版極速低延遲套裝
世界知名超頻記憶體及高端電競設備領導品牌,芝奇國際為最新旗艦系列Trident Z Royal Elite皇家戟 – 尊爵版推出多款極速記憶體套裝,包含DDR4-4000 CL14-15-15-35 32GB (16GBx2) 及 DDR4-3600 CL14-14-14-34 128GB (16GBx8) 的頂級高規,此一系列高頻率及低延遲兼具的高速套裝皆由嚴選高效能三星B-die顆粒打造,展示皇家戟-尊爵版頂級性能及奢華設計的頂峰體驗,是建立高端工作站、追求極限超頻效能玩家以及內容創作者的全新豪華記憶體方案。 以下為皇家戟-尊爵版的最新產品影片 #影片=https://www.youtube.com/watch?v=4q8dDLkfEtk 芝奇研發團隊一直致力於記憶體規格再突破,不斷挑戰效能與容量並存的最佳組合,終於成功將16GBx2容量推升至4000MHz CL14的極限領域,推出DDR4-4000 CL14-15-15-35 32GB (16GBx2) 的震撼規格,展現出極致的超頻性能。此規格目前已在最新第11代Intel® Core i7-11700KF處理器,搭配ASUS ROG STRIX Z590-E GAMING WIFI主機板通過燒機測試,以下為測試截圖: 隨著玩家對記憶體容量的需求急劇攀升,芝奇研發團隊也不斷嘗試在大容量記憶體規格,尋找高頻率與低延遲的最佳組合,今天再度展現突破,推出DDR4-3600 CL14-14-14-34 128GB (16GBx8) 頂級大容量極速套裝,提供高端玩家前所未有的效能體驗。此規格目前已在AMD Ryzen™ Threadripper™ 3960X processor處理器和ASUS ROG Zenith II Extreme主機板上通過燒機測試: 本次的頂級套裝預計於2021年6月開始販售,消費者將可由芝奇授權的全球合作供應商購買取得,完整規格請參照以下圖表:
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XPG GAMMIX S70 屢傳佳績 再獲 Computex d&I Awards 肯定,業界最多設計獎項肯定的 PCIe 4.0 固態硬碟
全球記憶體模組及快閃記憶體領導品牌 ─ 威剛科技旗下電競品牌 XPG 是專為電競高手、科技玩家與超頻達人所量身打造,提供玩家酷炫設計與高效能兼具的電競極限體驗。XPG 推出的 GAMMIX S70 PCIe Gen4x4 固態硬碟(SSD)於近日榮獲 2021 年台北國際電腦展創新設計獎(Computex d&I awards),這是 S70 固態硬碟繼 2020 金點設計獎與 2021 Red Dot 紅點設計大獎後,獲得第三個國際設計大獎,也讓 XPG GAMMIX S70 成為全球獲獎最多的 Gen4 SSD,也再度印證 XPG 卓越的產品設計能力。 GAMMIX S70 支援最新的 PCIe Gen4x4 介面,讀寫效能最高每秒可達 7400/6400MB,同時擁有獨家多層次結構散熱鰭片,以厚實的高效散熱鋁擠材質上下完全包覆固態硬碟,搭配上方獨特的中空多層鰭片結構,運用擴大散熱面積、增厚的鋁擠材質與中空熱對流傳導,大幅優化散熱效果,在連續讀取檔案的作業狀況下,仍可顯著降溫 30%,可有效避免系統熱當,維持穩固效能並延長使用壽命。
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KLEVV BOLT XR DDR4-3600 16GB套裝實測開箱、玩家級超頻記憶體模組強勢來襲!
「科賦KLEVV」一個性價比極高的品牌,以高品質、體質良好易超頻等特色在記憶體市場佔有一席之地,玩家們應該都相當熟悉才是,若是點開科賦的網頁就能發現:清一色都是主打電競超頻的記憶體,非常專情。 還記得前陣子在三創一樓柱子上的電子看板上,可以看到一直播放與知名《英雄聯盟》戰隊T1合作的RGB記憶體影片,看的真的令人流口水、想入手玩玩啊!不過,RGB好是好,對於不想要bling bling的玩家族群來說,看上眼的還是無光害版的記憶體,而且最好是具備有散熱片以及可以向上超一大截的版本,這對於KLEVV來說簡直不要太簡單,來,這組BOLT XR就能滿足這個願望,無光害、超炫高導熱散熱片加持,而且超頻幅度高,一次滿足玩家三個願望。 這次小編入手的是沒有RGB的BOLT XR,剛好符合小編喜歡低調的喜好。 這幾年來講到電競就不免會跟RGB燈效扯上邊,雖然看著閃亮亮的燈效特色還蠻不錯的,但畢竟不是人人都喜歡,對於喜歡低調風格的朋友來說,挑選無光害的零組件會是組機或升級的主要優先考慮;KLEVV推出的多款記憶體產品除了具備RGB燈效的版本之外,無燈效的高頻率版本也不少,這款入手的BOLT XR DDR4-3600就是其中的新貨色,不僅採用了全包覆式鋁材質散熱片,也支援Intel/AMD雙平台使用,內建的XMP 2.0技術也提供了玩家一鍵超頻的便利性。 從外觀上可以看到這次的包裝除了採用常見的吊牌式設計外,這款版本是16GB包裝版,也就是內含2支DDR4-3600 8GB版本,如果只需要購買單支8GB玩家,也可以選擇單支包裝的喔!從背面拆卸開包裝後,就可以看到這組BOLT XR DDR4-3600 8GBx2的記憶體本體了。 這組記憶體的造型其實除了無RGB燈效設計外,大家有沒有發現到,整體跟先前的環形導光條版本的還蠻相似的,頂上位置除了改採黑色膠條設計外、也有特別打上科賦一直以來的Slogan-Creative Evolution。除了外觀,這組BOLT XR採用的是鈦色系的鋁質散熱片作包覆,透過2mm厚度的鋁合金材質來強化散熱效果,也在散熱片表面增加了凹凸飾紋設計以及頂部多橫條式立體剖溝增加散熱表面積。 另外,這組BOLT XR DDR4-3600內建的CL為18-22-22-42、工作電壓1.35V,玩家只要透過開啟XMP就能輕鬆設定,小編入手的是BOLT XR系列中的DDR4-3600版本,如果需要更高頻率的話,可直接入手另一版DDR4-4000版本喔! 看過了BOLT XR的外觀特色之後,當然實際驗證一下這組記憶體的效能表現是一定要的啦!這裡小編也簡單的來做一下跑分動作,下面也提供這次的測試平台作為參考,不過,KLEVV的記憶體品質真的沒話說,隨便動手一調、立馬DDR4-3600就成了4000,果然沿襲了KLEVV一貫的特性,平價、好超! CPU:Intel Core i9 9900K 主機板:ASUS ROG MAXIMUS XI FORMULA 顯示卡:NVIDIA RTX 2060創始版 SSD:ADATA SX6000 1TB SSD 這裡可以看到在基本開啟XMP之後的測試數據表現,從MaxxMem與AIDA64的實測中可以發現,MaxxMem有31.86 GB/s的成績,而AIDA64的讀寫複製的數據可達49238/51534/44652 MB/s;事實上,這款BOLT XR採用的Hynix的H5AN8G8NDJR-VKC、D Die顆粒,照慣例的超頻體質都是不錯的,這部分小編也在下方隨手調了一下頻率、拉高到4000以及4200,基本上都能輕鬆開機並測試,有興趣的玩家可以再往更高頻率嘗試。 來看一下將頻率拉高到4000以及4200的測試結果吧! 從超頻到4000以及4200的成績來看,相較預設的3600來說,在MaxxMem的成績提升了約5%,至於AIDA64中的讀/寫/複製更是成長了12/14/14%之多。注意一下前面的測試截圖可以發現,真的只是把頻率往上拉而已,CL值的設定仍舊是維持原本DDR4-3600的預設18-22-22,電壓也是1.35V,厲害吧!KLEVV這組採用Hynix D-Die顆粒的BOLT XR記憶體,果然是體質一級棒的! 如果單看品質跟測試覺得不錯,那要是看看價格、會不會更令人感到驚艷?從原價屋的報價不難發現,在兩條1,890元這個價格買到DDR4-3600記憶體已經不是甚麼大事的今天,能買到隨手就能超4200以上的版本也是足夠划算了! 包裝上的New Era of Speed真的不是開玩笑,對於KLEVV來說,也算是名符其實!這次入手的這款BOLT XR DDR4-3600雖然少了RGB燈效,但仍舊具備KLEVV一向堅持的品質與高效能表現,對於玩家來說算是一大福音,畢竟平價入手、卻有著低電壓與良好的超頻體質,對於有需要的玩家來說就是一大助力,再者,透過XMP就能輕鬆達成DDR4-3600的頻率設定,以目前現有的Intel或AMD陣營來說,都能夠對應現有頻率運作,如果是正想組機或是準備升級的朋友,不趕快入手一組來玩玩就錯失良機了! 品牌名稱:科賦 KLEVV BOLT XR官網連結: →更多的【PCDIY! DRAM/記憶體/超頻記憶體模組】: →更多的【PCDIY! SSD/固態硬碟】: →更多的【PCDIY! HDD/機械硬碟/傳統硬碟】: →更多的【PCDIY! 行動儲存/外接機械硬碟/外接固態硬碟/隨身碟/記憶卡】: →更多的【PCDIY! NAS/網路儲存裝置】:
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【尋找微星B560超頻王】超頻小教室(三):記憶體的BIOS設定教學
各位是不是在買了好閃好漂亮的高速記憶體之後,就直接將它們裝上電腦開始使用了呢?但你知道如果不額外設定的話,記憶體是無法發揮應有性能的嗎? 那要怎麼設定呢?當然最直接的方式就是進入主機板的BIOS設定中開啟相關的調整囉,看過了前兩篇的辨識技巧與安裝DIY之後,接下來就來看看怎麼讓MSI B560主機板釋放記憶體的真正效能啦! ★還沒參加的朋友看這裡→活動直通車 想要進入主機板的BIOS設定畫面,必須在電腦開機時出現「MSI主機板廠商畫面」的時候按下鍵盤上的Delete[del]或是F2,如果玩家覺得畫面一閃即逝,來不及操作的話,也可以選擇在畫面出現之前就不斷連按,直到進入畫面。 進到畫面之後,如果玩家使用的是Intel平台,通常主機板將會提供「一鍵設定」和「手動操作」兩種方式來進行記憶體設定,其中前者稱之為「XMP設定」,至於AMD平台則因主機板廠商的設計而有所不同,像微星有提供「A-XMP」功能,可以用來啟動XMP設定,不過有些主機板品牌可能會沒有對應的功能,玩家就必須手動設置了。 開啟XMP設定的方式相當簡單,以微星的B560主機板來說(BIOS介面相當直覺式、玩家很容易就能看懂),只要在預設的EZ Mode簡易BIOS頁面中,以滑鼠或是鍵盤點擊畫面左上角「XMP Profile」,主機板就套用記錄在記憶體當中參數,讓記憶體的各項數值可以與官方所介紹的相同,然後按退出並保存BIOS的設定就完成了(在微星主機板中的快捷鍵為F10),是不是相當簡單啊! 至於手動操作方面則相對需要幾個步驟,想要挑戰超頻的玩家需要將BIOS切換成Advance Mode(進階模式),在OC(Over Clocking超頻)分頁中找到「DRAM Frequency(記憶體頻率)」、「DRAM Voltage(記憶體電壓)」和「Advance DRAM Configuration(進階記憶體參數)」這三個選項來依序調整參數。 另外,如果不熟悉記憶體參數玩家,可以利用微星主機板提供的「Memory Try It!」功能,此功能可以針對市面上常見的記憶體顆粒,提供建議的超頻參數,對於不滿足於XMP預設效能,但又擔心參數設定不當造成零件損換的話,可以先試試看此功能,從而更簡易為記憶替釋放更強大性能。 在DRAM Frequency中,玩家可以在此調整記憶體的時脈,如果想要嘗試超頻,建議一開始先讓記憶體達到產品介紹上的時脈就好,因為這是經過官方驗證能穩定工作的數值,等到能夠正常開機之後,再一點一點往上加。 DRAM Voltage則是負責調整供給記憶體的電壓,這邊只須用鍵盤直接輸入數字即可,需要注意的是,雖然說理論上電壓越高,記憶體能夠執行更高的時脈,但是相對因為電壓過高導致的記憶體毀損機率也就越大,原則上建議將電壓設定在1.5V以下就好,同時也不要貿然大幅度調整。 Advance DRAM Configuration的設定就比較細一些,主要是用來調整記憶體的「CL值」(時序),也就是所謂的延遲時間。玩家可以查看記憶體的產品的外包裝或官網介紹,通常會有一排由3組或4組寫成的數字,並且用刪節號分開,例如18-22-22-48,這組數值就是產品的CL值。(可參考) 玩家如果不打算進行超頻的話,只需要將產品的CL數值依照tCL、tRCD、tRP、tRAS的順序輸入即可,倘若沒有第四組數字則可以將其維持在Auto就好。 至於想要超頻的朋友,CL值則建議留到最後再來調整,因為CL值的高低會影響整個系統的流暢度表現的,CL值越高,代表記憶體的讀寫延遲時間越長,相對地就會造成系統的反應遲滯,造成記憶體空有高時脈,實際體驗卻不理想的狀況,所以調整時需要多加拿捏以免得不償失。 記憶體如果想要發揮應有甚至更高的性能表現,需要在開機時按下Delete[del]或F2進入主機板的BIOS畫面進行調整。 如果只求滿足產品宣稱的性能,Intel平台的玩家可以直接開啟XMP設定,就能一件完成設定;而AMD平台則要可以使用A-XMP,至於想初次體驗超頻的玩家可以先在Advance Mode中試用Memory Try It!的推薦參數,等相關參數的設定調整都熟稔之後,再針對DRAM Frequency、DRAM Voltage、Advance DRAM Configuration進行調整,但無論打算超頻與否,小編都建議先以官方的預設數值為基準進行輸入,等確定能正常開機運作,再行調整。 最後最後,容小編再嘮叨一句,挑戰超頻還是要適可而止,過度調整參數將可能造成記憶體甚至是主機板損毀,玩家在操作時還是要小心為上!預祝大家超頻超高高、參加活動拿第一~ 這裡同樣附上了官方針對DRAM超頻的詳細解說,看完官方大大的清楚介紹後,應該就可以好好的來試試看囉! #影片=https://www.youtube.com/watch?v=2l4fWJEpYts ▲INTEL 11代處理器選購要領 DRAM超頻必看篇~動態齒輪比完整解說 超頻小教室(一): 超頻小教室(二): 超頻小教室(三): 超頻小教室(四): ★快來追蹤/加入我們!!! YouTube頻道: FB玩家社團: Instagram頻道: Telegram頻道:
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