整合式解決方案運用 GF 的 22FDX® 技術減少 NB-IoT 及 LTE-M 應用耗電量、面積及成本

GLOBALFOUNDRIES (格羅方德半導體) 與 VeriSilicon 今日共同宣布，將攜手推出業界首款新世代的低功耗廣域網路 (LPWA) 單晶片 IoT 解決方案。本次合作計畫將運用 GF 的 22FDX® FD-SOI 技術發展智慧財產，可在單晶片上完整實現蜂巢式數據機模組，包括整合式基頻、電源管理、RF 無線電，以及結合 IoT (NB-IoT) 與 LTE-M 功能的窄頻。相較於現有產品，新方式可望大幅改善耗電量、面積及成本。

隨著智慧城市、家居、工業應用的連線裝置數量日益增加，網路供應商也著手開發全新的通訊協定，以期更加符合新興 IoT 標準的需求。LPWA 技術運用現有的 LTE 頻譜及行動基礎架構，但著重於提供超低功率、擴大範圍，並於傳輸小量少用資料的裝置上，例如連網水表和瓦斯表，更進一步降低資料傳輸率，。

兩大領先的 LPWA 連線標準包括在美國前景看好的 LTE-M，以及逐漸在歐洲、亞洲取得一席之地的 NB-IoT。舉例而言，中國政府已鎖定 NB-IoT，並將於明年進行全國部署。根據 ABI Reasearch 的研究，此兩大技術結合後，預期 M2M 行動模組到 2021 年的出貨量可能逼近 5 億。

GF 與 VeriSilicon 目前已著手開發 IP 套件，以雙模式營運商等級的基頻數據機搭配整合式射頻 前端模組，客戶得以製作出成本及功率都達到最佳化的單晶片解決方案，以供全球部署。此設計將使用 GF 的 22FDX 製程進行裝配，運用 22nm FD-SOI 技術平台為 IoT 應用提供經濟實惠的擴充能力，並降低耗電量。22FDX 是唯一能夠以單晶片高效率整合射頻、收發器、基頻、處理器和電源管理元件的技術，相較於現有的 40nm 技術，此種整合技術預計在效能和晶粒尺寸方面，可達到 80% 以上的改良效果。

GF 產品管理資深副總裁 Alain Mutricy 表示：「22FDX 技術被定位在最適合用於支援低功率電池供電的 IoT 裝置，滿足此類裝置的爆炸性成長。我們特別期待中國市場帶來的機會，中國已在全國各地致力投入 IoT 和智慧城市。這項新措施擴大了我們與 VeriSilicon 長久以來的合作關係 – VeriSilicon 是我們重要的合作夥伴，協助我們在成都以全新的 300mm 晶圓廠為中心，建設 FD-SOI 生態系統。」

VeriSilicon 主席兼總裁暨執行長 Wayne Dai 表示：「自五年多前開始，VeriSilicon 基於晶片平台即服務 (SiPaaS) 的理念，開始開發 FD-SOI IP，並以 FD-SOI 技術為基礎，許多晶片首次達到了平台化晶片設計服務的成功。至於 IoT 應用方面，除了成本上的優勢之外，整合式射頻、機身偏差以及嵌入式記憶體如 MRAM，都是 FD-SOI 技術超越 28 nm Bulk CMO 的重要優點。在 GF 22FDX 整合射頻與 PA 後，基頻和協定堆疊在能源效率佳且可編程的 ZSPnano 上實作，可憑藉強大的低延遲能力和訊號處理的單一週期指令，使控制及資料流達到最佳化。GF 於成都的全新 FDX 300 mm 晶圓，以及整合式 NB-IoT、LTE-M 單晶片解決方案等 IP 平台，將會對中國的 IoT 和 AIoT (物聯人工智慧) 產業帶來重大的影響。」

GF 與 VeriSilicon 預計將於 2017 年第四季以整合解決方案為基礎的測試晶片下線生產，連同晶片驗證一同完成。公司計畫於 2018 年年中取得營運商許可。