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極限競速 邁步未來,SP廣穎電通推出PCIe Gen 4x4 NVMe介面M.2固態硬碟-US70
(本資訊由廠商提供,不代表PCDIY!立場) 2020-06-15 18:25:26
全球記憶儲存領導品牌SP廣穎電通推出PCIe Gen 4x4最新極速介面-US70 M.2 2280固態硬碟。US70 M.2 2280固態硬碟,採3D快閃記憶體,搭載NVMe 1.3標準,相容於最新一代符合 PCIe 4.0 標準之主機板,提供超高速傳輸效能,讀寫速度分別最高可達每秒5,000MB及4,400MB,與傳統SATA III SSD相比,速度提升近10倍,並可向下相容PCIe 3.0平台,隨插即用。
US70採M.2主流尺寸,符合M.2 2280(80.0mm × 22.0mm)介面規格的輕巧外觀及無外殼設計,提高產品運用的靈活度,無論是Ultrabook超薄筆電、筆記型電腦或桌上型電腦皆可適用。集驚人高速、優異效能、多重防護於一身,是一款專為電競玩家、超頻高手、影像編輯處理者、設計創作者、與企業用戶等各領域的高階專業人士所打造的顛峰之作!
擁有平均抹寫儲存區塊(Wear Leveling)技術,能平均每個NAND flash區塊的磨損狀況,避免部分區塊過度使用,因而導致壞損或資料漏失;配置超容量快取(Over-Provision, OP),額外增加SSD的預留空間,減少NAND Flash的耗損,確保可靠度與穩定性,達產品壽命最佳化。並具故障區塊管理(Bad Block Management;BBM)機制,能偵測並標示NAND Flash中的故障區塊,避免日後資料存入故障區塊中,以降低資料在存取時發生的錯誤;且即使在使用過程中有新區塊在抹寫時發生錯誤,此機制亦可將資料重新移植到其他的有效區塊中,避免因抹寫錯誤而導致的資料流失。
• 符合NVMe 1.3協議標準,擁高性能、低延遲、低功耗特性。
• 擁有平均抹寫儲存區塊(Wear Leveling)技術,能平均每個NAND flash區塊的磨損狀況,確保可靠度與穩定性。
• 具故障區塊管理(Bad Block Management, BBM)機制,能偵測並標示NAND Flash中的故障區塊,避免日後資料存入故障區塊中,以降低資料在存取時發生的錯誤。
• 配置超容量快取(Over-Provision, OP),額外增加SSD的預留空間,以提升效能及耐用性,可減少NAND Flash的耗損,有助延長硬碟壽命。
• 支援 SLC Caching 和DRAM Cache Buffer,可提高滿意的循序讀寫及隨機讀寫效能。
• 具備點對點資料防護(E2E Data Protection)。
• 採用LDPC(Low Density Parity Check Code,低密度奇偶檢查碼)錯誤校正機制,可確保資料傳輸的正確性及資料存取的可靠性。
• 支援 TRIM指令,SSD能高效管理可回收利用的空間,固態硬碟耗損的情況亦大幅減小。
• 擁S.M.A.R.T.自我監測、分析及回報技術,可隨時監測運作狀態。
• 符合M.2 2280介面規格的輕巧外觀及無外殼設計,無論是Ultrabook超薄筆電、筆記型電腦或桌上型電腦皆可適用。
• 尺寸:22.0 x 80.0 x 3.5mm
• 重量:8g
• 讀取速度(最高): up to 5,000 MB/s*
• 寫入速度(最高): up to 4,400 MB/s*
• 傳輸介面:PCIe Gen 4x4
• MTBF:1,700,000 hours
• 防震: 1500G/0.5ms
• 操作溫度:0℃- 70℃
• 認證:CE/FCC/BSMI/Green dot/WEEE/RoHS/KCC
• 保固:5年
• 系統需求:具備M.2接孔並支援PCIe介面的電腦,以及下列其中之一的作業系統-Windows 8.1、Windows 10
*備註: 讀寫速度會因系統效能(如硬體、軟體、介面模式等)及容量而有所不同。
US70採M.2主流尺寸,符合M.2 2280(80.0mm × 22.0mm)介面規格的輕巧外觀及無外殼設計,提高產品運用的靈活度,無論是Ultrabook超薄筆電、筆記型電腦或桌上型電腦皆可適用。集驚人高速、優異效能、多重防護於一身,是一款專為電競玩家、超頻高手、影像編輯處理者、設計創作者、與企業用戶等各領域的高階專業人士所打造的顛峰之作!
NVMe 1.3 高效穩定
US70符合NVMe 1.3協議標準,NVMe能帶來更高的性能、更低的延遲、及更低的功耗,徹底展現SSD極致效能。並搭載立體堆疊的3D快閃記憶體,不僅提供1TB及2TB大容量,總寫入資料量(TBW*,Total Bytes Written)也大幅提升,輕鬆滿足各式存儲應用需求。(*1TB版本TBW為1,800TB,2TB版本TBW為3,600TB。)效能完勝 完整防護
支援 SLC Caching 和 DRAM Cache Buffer,可提高滿意的循序讀寫及隨機讀寫效能。採用LDPC (Low Density Parity Check Code,低密度奇偶檢查碼)錯誤校正機制,可確保資料傳輸的正確性及資料存取的可靠性。具備點對點資料防護(E2E Data Protection)。支援 TRIM指令,使SSD能高效管理可回收利用的空間,大幅降低固態硬碟耗損的情況。並擁S.M.A.R.T.自我監測、分析及回報技術,可隨時監測運作狀態。擁有平均抹寫儲存區塊(Wear Leveling)技術,能平均每個NAND flash區塊的磨損狀況,避免部分區塊過度使用,因而導致壞損或資料漏失;配置超容量快取(Over-Provision, OP),額外增加SSD的預留空間,減少NAND Flash的耗損,確保可靠度與穩定性,達產品壽命最佳化。並具故障區塊管理(Bad Block Management;BBM)機制,能偵測並標示NAND Flash中的故障區塊,避免日後資料存入故障區塊中,以降低資料在存取時發生的錯誤;且即使在使用過程中有新區塊在抹寫時發生錯誤,此機制亦可將資料重新移植到其他的有效區塊中,避免因抹寫錯誤而導致的資料流失。
產品特色
• PCIe Gen 4x4最新極速介面,提供高達每秒5,000MB及4,400MB的極致讀寫性能。• 符合NVMe 1.3協議標準,擁高性能、低延遲、低功耗特性。
• 擁有平均抹寫儲存區塊(Wear Leveling)技術,能平均每個NAND flash區塊的磨損狀況,確保可靠度與穩定性。
• 具故障區塊管理(Bad Block Management, BBM)機制,能偵測並標示NAND Flash中的故障區塊,避免日後資料存入故障區塊中,以降低資料在存取時發生的錯誤。
• 配置超容量快取(Over-Provision, OP),額外增加SSD的預留空間,以提升效能及耐用性,可減少NAND Flash的耗損,有助延長硬碟壽命。
• 支援 SLC Caching 和DRAM Cache Buffer,可提高滿意的循序讀寫及隨機讀寫效能。
• 具備點對點資料防護(E2E Data Protection)。
• 採用LDPC(Low Density Parity Check Code,低密度奇偶檢查碼)錯誤校正機制,可確保資料傳輸的正確性及資料存取的可靠性。
• 支援 TRIM指令,SSD能高效管理可回收利用的空間,固態硬碟耗損的情況亦大幅減小。
• 擁S.M.A.R.T.自我監測、分析及回報技術,可隨時監測運作狀態。
• 符合M.2 2280介面規格的輕巧外觀及無外殼設計,無論是Ultrabook超薄筆電、筆記型電腦或桌上型電腦皆可適用。
產品規格
• 容量:1TB, 2TB• 尺寸:22.0 x 80.0 x 3.5mm
• 重量:8g
• 讀取速度(最高): up to 5,000 MB/s*
• 寫入速度(最高): up to 4,400 MB/s*
• 傳輸介面:PCIe Gen 4x4
• MTBF:1,700,000 hours
• 防震: 1500G/0.5ms
• 操作溫度:0℃- 70℃
• 認證:CE/FCC/BSMI/Green dot/WEEE/RoHS/KCC
• 保固:5年
• 系統需求:具備M.2接孔並支援PCIe介面的電腦,以及下列其中之一的作業系統-Windows 8.1、Windows 10
*備註: 讀寫速度會因系統效能(如硬體、軟體、介面模式等)及容量而有所不同。
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