先前三星曾發表過業界首款第三代16GB HBM2E記憶體技術，現在它們開始將目標轉向手機儲存空間了，三星宣布將開始大規模量產eUFS 3.1 (embedded Universal Flash Storage)儲存晶片，主打8K影音錄製不延遲與超大檔案快速存取等訴求，來吸引其客戶導入，預計下世代旗艦級產品將陸續導入這樣的高速儲存技術，未來將能看到智慧手機的讀寫速度更上層樓。

早前也是三星自己先開始推出eUFS 3.0儲存晶片，然後後續許多高階智慧行動裝置已開始搭載該晶片，以達到更快得儲存空間讀寫速度，這一次三星表示，eUFS 3.1儲存晶片其理論速度將會比上一代快上三倍，以達到破1 GB/s的資料傳輸速度。更準確來說的話，循序寫入速度將可突破1200 MB/s，也就是只要大約90秒就可以傳輸約100GB的資料。雖然說這和我們電腦在使用的PCIe 3.0介面SSD讀寫速度還有段差距，但也差不多是在一半左右的速度，光從這點來看的話，行動裝置能擁有這樣的速度確實驚人！



另外，在處理速度的效能上，三星表示eUFS 3.1 512GB版本將可比上一代快上約60%，其IOPS數值的讀寫表現分別達到100,000 / 70,000，這點是非常驚人的表現，許多一般電腦HDD甚至都沒有這麼高的速度呢！

除了剛才提到的512GB版本以外，三星預計也會推出128GB和256GB的版本，可以想見的是，大概只有高階、旗艦等級的智慧行動裝置有機會搭載了，小編猜測會是下一代的Note系列手機搶先搭載，畢竟三星親兒子嘛～




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