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寫入速度破千、鎖定業界最快,三星開始大規模量產eUFS 3.1儲存晶片

文.圖/JC 2020-03-18 10:58:44
先前三星曾發表過業界首款第三代16GB HBM2E記憶體技術,現在它們開始將目標轉向手機儲存空間了,三星宣布將開始大規模量產eUFS 3.1 (embedded Universal Flash Storage)儲存晶片,主打8K影音錄製不延遲與超大檔案快速存取等訴求,來吸引其客戶導入,預計下世代旗艦級產品將陸續導入這樣的高速儲存技術,未來將能看到智慧手機的讀寫速度更上層樓。

早前也是三星自己先開始推出eUFS 3.0儲存晶片,然後後續許多高階智慧行動裝置已開始搭載該晶片,以達到更快得儲存空間讀寫速度,這一次三星表示,eUFS 3.1儲存晶片其理論速度將會比上一代快上三倍,以達到破1 GB/s的資料傳輸速度。更準確來說的話,循序寫入速度將可突破1200 MB/s,也就是只要大約90秒就可以傳輸約100GB的資料。雖然說這和我們電腦在使用的PCIe 3.0介面SSD讀寫速度還有段差距,但也差不多是在一半左右的速度,光從這點來看的話,行動裝置能擁有這樣的速度確實驚人!

三星將開始量產eUFS 3.1儲存晶片,預期將會為未來旗艦行動裝置帶來破1 GB/s的資料傳輸速度。


另外,在處理速度的效能上,三星表示eUFS 3.1 512GB版本將可比上一代快上約60%,其IOPS數值的讀寫表現分別達到100,000 / 70,000,這點是非常驚人的表現,許多一般電腦HDD甚至都沒有這麼高的速度呢!

除了剛才提到的512GB版本以外,三星預計也會推出128GB和256GB的版本,可以想見的是,大概只有高階、旗艦等級的智慧行動裝置有機會搭載了,小編猜測會是下一代的Note系列手機搶先搭載,畢竟三星親兒子嘛~

這邊附上三星歷年儲存晶片的讀寫速度和隨機讀寫數值供玩家做比較。



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