說到HBM (High Bandwidth Memory，高頻寬記憶體)，您會想到市面上有哪些產品用到這個技術? Radeon VII? Radeon Instinct MI50/60? Titan V? Tesla V100? 還是已經GG的Kaby Lake-G系列? 對! 沒錯! 這些產品都有使用到HBM2的記憶體，擁有超高頻寬，能提供快速記憶體存取，以釋放出GPU的效能。

為再提升HBM2的效能，Samsung (三星)這次發表了全新的Flashbolt第三代HBM2E記憶體，單疊就能擁有16GB的容量，效能更高，與HPC (高效能運算)系統最速配，能幫助系統製造商建構出效能超強的超級電腦，以應用在資料中心的大數據處理、AI相關的資料分析，以及更精細的繪圖領域…等等。



Samsung新聞稿：這裡

JEDEC規範：這裡

容量為上一代8GB HBM2的兩倍，頻寬最高增加高達75%!

新這次三星發表的Flashbolt HBM2E記憶體技術，容量達16GB，為上一代Aquabolt HBM2 8GB的兩倍，其採用3D垂直堆疊方式，以8層16Gb的DRAM die所組成。這些DRAM die都是採用10nm等級(1y nm)製程，相較於先前的20nm製程還要先進一些。這次的HBM2E封裝技術，以超過4萬個TSV (矽穿孔)技術，將micro bump (微凸塊)精確排列以進行互連，其中每顆16Gb的DRAM die均包含了5,600多個此類微小孔，由此可見其精細的製作技術，能讓相同體積空間堆疊出更高容量的高速記憶體。



至於頻寬部份，三星Flashbolt HBM2E透過其專有的電路優化設計，來傳遞訊號，每DRAM針腳能提供高達3.2Gbps的效能，讓每個堆疊達到410GB/s的總頻寬，相較於前一代提升了33%的效能。

三星表示這次的HBM2E效能，其實還可以超頻到4.2Gbps，讓其每個堆疊達到538GB/s，效能達到比上一代的307GB/s還快75%！因此這次的HBM2E技術，透過容量與頻寬的提升，將能讓效能更上一層樓！

▼ 三星的各代HBM2記憶體規格比較

符合JEDEC最新JESD235C的HBM2規範

JEDEC於2020年1月正式釋出最新版JESD235C規範，其裡面將傳輸速度提升到3.2Gbps/pin，讓每堆疊頻寬高達410GB/s。至於容量方面則是定義到可以堆疊到12顆DRAM Die，而每顆Die的容量為2GB，使其總容量達24GB。因此理論上，HBM2容量是可以達到24GB的！

▼ JEDEC制定之各版本HBM2記憶體規格

而這次Samsung的Flashbolt就是符合其JESD235C規範，但每堆疊最高DRAM Die的數量只達到8層，而每顆Die的容量為2GB，因此可以疊到16GB。

2020 H1開始量產，真正搭載HBM2E的終端產品預計明年看到

這次三星的Flashbolt採用HBM2E技術，HBM2E後面的E，代表Evolutionary，也就是HBM2的進化版。而三星預期於2020年上半年開始量產，當然既有的Aquabolt HBM2產品線也持續供應。只是由於HBM2系列的產品售價都比較高，因此像是AMD這樣的公司就算要導入最新的HBM2E記憶體，也會先應用在高階的繪圖卡產品線，如前述的Radeon Instinct系列，從現在開始設計、導入，到真正量產上市，應該最快也要2020年耶誕購物季，或是2021年初才看得到囉！