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Micron 擴張 Crucial 儲存方案 推出 P1 NVMe 固態硬碟,P1 NVMe SSD 可快速讀取遊戲、應用程式、檔案及資料內容
(本資訊由廠商提供,不代表PCDIY!立場) 2018-10-18 08:26:10隸屬於美光 Micron Technology 旗下消費者記憶體與儲存升級方案之領導品牌 Crucial ,今日正式推出 Crucial P1 SSD ,此款 PC 儲存裝置採用 NVMe PCIe 介面與 Micron 先進的 QLC 技術,提供速度更快、容量更大且價格親民的選擇,為可靠、高效能、經濟實惠,且獲獎無數的Crucial SSD 組合再添生力軍。
Crucial P1 SSD 大幅領先同級產品,提供優異的效能。經 PCMark 8 benchmarks 測試,此固態硬碟在混合模式輸出可達 565MB/s,總分達 5,084,遙遙領先所有同價格級距1之 SSD。P1 的循序讀取/寫入速度高達 2,000/1,700 MB/s2,搭配獨特 SLC 快取的混合動態寫入加速技術,創造堅不可摧的效能。此硬碟平均壽命(MTTF)為 180 萬小時,耐用性可達 200TB 總位元寫入量,運作時的平均耗電量為 100mW。
Crucial P1 SSD 提供最高達 1TB 的容量選擇,搭載 Micron QLC NAND 技術,並享有 5 年有限保固。QLC NAND 可在每個 NAND 單元內儲存 4 個位元,使得傳統硬碟和快閃儲存間價格差距縮小,因此能以更經濟實惠的價格提升產品的速度與容量。
「在過去一年半間,我們一直都用 Crucial SSD 打造我們的電競設備。」FNATIC 首席電競長 Patrik Sattermon 表示,「全新的 P1 NVMe 硬碟執行速度令人印象深刻,我們很期待能在開機速度與遊戲讀取上獲得進一步提升。加上現今部分遊戲需近 100GB 的儲存空間,新 P1 SSD 提供的額外容量份外受用。我們很期待在 FNATIC 團隊的系統中加入此系列固態硬碟。」
「我們生產製造 SSD 已有 10 年歷史,並見證著這些年來在運算需求上的劇烈改變。」Micron 消費者產品群副總裁兼總經理 Teresa Kelley 表示:「時至今日,系統速度與儲存容量的重要性前所未見。因此我們專注於客戶的實際運算需求,打造出效能、容量和功能一次到位的 Crucial P1 SSD,以經濟實惠的價格提供他們需要的產品。」
簡易安裝與支援
Crucial SSD 安裝指南提供簡單明瞭的安裝步驟說明與影片,並有 Acronis True Image HD 軟體讓您快速、輕鬆地完成資料移轉。Crucial Storage Executive 軟體工具則能提供使用者查看儲存(GB)用量、下載最新韌體、並提升硬碟效能。產品特點:
• 運用 NVMe PCIe 介面,提供更快、更大、更親民的產品選擇• 透過混合動態寫入加速技術,提升日常程序運算速度
• 提供 500GB與1TB容量選擇3
• 5 年有限保固4支援
進階功能:
P1 SSD 提供一系列的其它優勢,包括:• 透過多步驟資料完整性算法提供資料遺失防護
• 內建過熱監控工具,防止發生過熱
• 透過混合動態寫入加速技術,提升寫入速度
• RAIN 技術能在元件層級保護資料
Micron 品質保證
做為全球最大快閃儲存記憶體製造商之一 Micron 的旗下品牌, Crucial 以近40 年的專家品質和工程創新為後盾,生產了世界上最先進的記憶體和儲存技術。經由數千小時的 Micron 發行前驗證測試與數十次的 SSD 品質鑒定測試,Crucial P1 SSD 現已加入長期榮獲多項獲獎肯定的 Crucial SSD 行列,可透過 Crucial.com 與特定全球合作夥伴立刻選購,並享有 5 年有限保固。欲獲得更多資訊,請造訪 crucial.com/ssd。1結果根據 2018 年 10 月之 PCMark 8 Storage 2.0 benchmark 測試所得。透過 CrystalDiskMark 測量輸出與頻寬,v6.0.1 測試系統:Gigabyte GA-Z170X Ultra Gaming, Intel Core i5, 32GB Ballistix DRAM, Windows 10 Pro x64。結果依不同電腦系統與測試環境而有所差異。
2一般的 I/O 效能數據是使用 CrystalDiskMark 進行測量並啟用寫入快取,測量時佇列深度為 64 (QD = 8, Threads = 8) 。假設為全新 (FOB) 狀態。為了效能測量用途,SSD 將會使用安全消除命令復原至 FOB 狀態。系統差異將會影響測量結果。
3部分儲存容量將會使用於格式化或其他用途,而無法用於資料儲存。1GB 相當於 10 億位元組。
4保固為原始購買日期起五年內,或寫入產品資料表中所公布的和產品 SMART 資料中測量出的最大總寫入位元組數 (TBW) 前(以較早者為準)。
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