東芝記憶體公司 (Toshiba Memory Corporation) 與Western Digital公司今日共同於日本三重縣四日市的6號晶圓廠 (Fab 6) 舉行開幕儀式。該晶圓廠為新設先進半導體製造廠區，並設有記憶體研發中心 (Memory R&D Center)。

東芝記憶體公司於2017年2月開始興建6號晶圓廠，作為生產3D NAND Flash（快閃記憶體）的專用廠區。東芝記憶體公司與Western Digital已針對沉積 (deposition) 與蝕刻 (etching) 等關鍵生產製程部署先進製造設備。新晶圓廠在本月初已開始量產96層3D NAND Flash。

3D NAND Flash在企業伺服器、資料中心及智慧型手機的需求不斷成長，未來幾年這些需求將持續擴大；為因應此市場趨勢，可望進一步投資擴大產能。

與6號晶圓廠相毗鄰的記憶體研發中心已於今年3月開始營運，負責研發並推動3D NAND Flash的發展工作。

東芝記憶體公司與Western Digital將持續推動並擴展雙方在記憶體事業的領導地位，積極開發各項計畫以強化競爭力，推動3D NAND Flash的共同開發，並根據市場趨勢規劃資本的投入。

東芝記憶體公司社長暨執行長成毛康雄 (Yasuo Naruke) 表示：「我們很高興有這個機會能為新一代的3D NAND Flash開拓更廣闊的市場。6號晶圓廠和記憶體研發中心能讓我們在3D NAND Flash市場中維持領先地位，而且我們相信與Western Digital的合資事業，將協助四日市的工廠繼續生產最先進的記憶體。」

Western Digital執行長Steve Milligan同步指出：「今天很榮幸能與我們的重要合作夥伴東芝記憶體一起為6號晶圓廠和記憶體研發中心揭開序幕。近20年來我們合作無間，帶動了NAND Flash技術的成長和創新。此外，我們正積極提升96層3D NAND產能，以因應從消費性、行動應用到雲端資料中心等終端市場的各式商機 。6號晶圓廠具備先進技術設備，將進一步提升我們在業界技術領先和成本領導的地位。」