全球NAND快閃記憶體控制晶片領導品牌慧榮科技(NasdaqGS: SIMO)，今日宣布推出一系列最新款超高效能、低功耗的 PCIe 4.0 NVMe 1.4 控制晶片解決方案以滿足全方位巿場需求，包括專為高階旗艦型Client SSD設計的SM2264、為主流SSD市場開發的SM2267，以及適用於入門級新型小尺寸應用的SM2267XT DRAM-Less控制晶片。

慧榮科技最新款 SSD 控制晶片解決方案符合 PCIe 4.0 NVMe 1.4 規範，完美展現Gen4的超高效能和低功耗特性，結合慧榮獨家的錯誤碼修正 (ECC) 技術、資料路徑和 EMI 保護，提供完整、穩定的資料保護，滿足儲存設備所需的高效穩定需求。全球已有10家重量級客戶，包括 NAND 大廠和 SSD OEM 採用慧榮科技的 Gen 4　控制晶片搭載 3D TLC 或 QLC NAND 推出新品。

市調公司TrendFocus 副總裁Don Jeanette表示：「眾所皆知慧榮科技長期以來一直是SSD控制晶片技術的領導者。在Gen 4規格日漸受到市場重視的同時，該公司於此時推出新品正好抓住最好的時機，而未來幾年 Gen 4 勢必成為PC、遊戲機及其他消費性裝置的標準規格。」

慧榮科技總經理苟嘉章表示：「PCIe Gen4 將SSD的效能往上推升到另一個層次。我們最新款的 PCIe 4.0 SSD 控制晶片為消費級SSD應用提供一套完整的解決方案，能滿足全球 PC OEM 和 SSD模組領導廠商的長遠需求。目前，多家 OEM 大廠客戶已開始導入我們最新款的 Gen 4 SSD控制晶片在他們的新品開發中，其中已搭載 SM2267 控制晶片的SSD已進入量產階段。」

針對高效能和車用等級的 PCIe Gen 4 解決方案：SM2264支援Gen4 x 4 通道、8個NAND通道設計

SM2264主要瞄準高效能和車用級 SSD 應用，搭載四核心ARM® Cortex®-R8 CPU，內含四個 16Gb/s PCIe 資料匯流排，並支援八個 NAND 通道，每個通道最高可達每秒 1,600 MT。SM2264的先進架構採用12奈米製程，能夠大幅提升資料傳輸速率、降低功耗並提供更嚴密的資料保護，連續讀寫效能最高可達 7,400MBs / 6,800 MBs，隨機讀寫速度最高達 1,000K IOPS，提供使用者前所未有的超高效能體驗。ARM® Cortex®-R8架構提供高速多執行緒處理能力，可滿足新一代儲存應用所需的混合工作負載作業需求。SM2264 搭載慧榮科技最新第 7 代 NANDXtend®技術，結合慧榮科技專利的最新高效能4KB LDPC糾錯碼（ECC）引擎和RAID功能，為最新一代的 3D TLC 和 QLC NAND 提供極佳的錯誤校正能力。內建 SR-IOV 功能的 SM2264 也是車用級儲存裝置的理想選擇，最多可同時為八台虛擬機器(VM)提供直接的高速 PCIe 介面。SM2264 目前進入客戶送樣階段。

針對主流和入門級 PCIe Gen 4的解決方案：SM2267 支援Gen4 x 4 通道、4 個 NAND 通道設計； SM2267XT支援Gen4 x 4 通道、4 個 NAND 通道、DRAM-less

慧榮科技的 SM2267 和 SM2267XT 滿足主流消費級和高性價比 SSD應用需求，具備四個 16Gb/s 通道的 PCIe 和四個 NAND 通道，每個通道的最高速度為 1,200 MT/s，而連續讀寫效能更可高達每秒 3,900/3,500 MB。SM2267 包含 DRAM 介面，而 SM2267XT DRAM-less 控制晶片可在不影響效能的前提下，滿足小尺寸產品設計需求。兩者均搭載 NANDXtend® ECC 技術，並支援最新一代 3D TLC 和 QLC NAND，提供高效能、高可靠性，最符合經濟效益的 PCIe NVMe SSD 解決方案。SM2267 和 SM2267XT 已進入量產階段。