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目標高階智慧型手機市場,Western Digital推出業界首創96層3D NAND UFS 2.1嵌入式快閃記憶體

(本資訊由廠商提供,不代表PCDIY!立場) 2018-10-11 14:04:40
Western Digital公司今日推出業界首款96層3D NAND UFS 2.1嵌入式快閃記憶體 (EFD, embedded flash drive) Western Digital iNAND MC EU321。Western Digital iNAND MC EU321專為高階行動和運算裝置所設計,包括人工智慧(AI)、擴增實境(AR)、多鏡頭高解析度攝影、4K影片拍攝等各式需要高效能的應用都能夠加速運行,擁有不間斷的運行體驗。

採用Western Digital的96層3D NAND技術、先進的UFS 2.1介面技術和Western Digital的iNAND SmartSLC 5.1架構,新推出的Western Digital iNAND MC EU321嵌入式快閃記憶體為智慧型手機、平板電腦和個人筆電裝置帶來卓越的數據效能,即使裝置容量空間接近全滿,消費者仍能享受順暢的行動體驗。

Western Digital產品行銷資深總監Oded Sagee表示:「行動裝置已成為我們日常連網生活的中心。隨著5G連網速度、4K高畫質影片、擴增實境和虛擬實境等應用興起,也促使著智慧型手機、平板電腦和筆記型電腦所需具備的功能持續轉型;使用者對於產品的期待,以及支援這些豐富使用者體驗的技術需求也越來越高。」Oded Sagee進一步指出:「我們的3D NAND技術提供使用者更大的嵌入儲存容量,以支援整個智慧型手機生命週期中的數據需求。除此之外,相較於採用傳統儲存架構的裝置在儲存容量近滿時效能會降低,專為維持高效能而打造的Western Digital iNAND MC EU321嵌入式快閃記憶體,能讓使用者持續創造、保存並享受他們一致的數位體驗。」

隨著更多以數據為中心的應用將在行動及運算裝置上運行,預期將帶動未來幾年行動數據在數量、傳輸速度與數據種類的爆發性的成長。
• 多鏡頭高解析度行動攝影與錄影,以及人工智慧輔助攝影,為使用者提供了創造、分享其數位內容的全新功能。
• 5G網路使下載和傳輸速度變得超快速,改變了消費者及其裝置與內容互動的方式。
• 位於行動裝置邊緣(edge)並由5G所驅動的人工智慧功能,提供了即時擷取、數據處理以及從中學習的能力。

研究機構Counterpoint Research表示,2017到2021年間NAND flash平均儲存容量年複合成長率(CAGR)將高達28%,主要是由於成熟平板電腦使用者壓抑已久的換機需求所帶動,特別是隨著娛樂及生產力成為主流使用情境,讓他們開始將裝置升級為螢幕更大、容量更高的功能強大連網機種。

所有這些數據密集的應用都需要更大容量和更快速度,以滿足消費者對行動裝置隨時隨地都能即時運作(on-the-go)的期望。2018年上半年出貨智慧型手機的嵌入式儲存容量,相較2017年上半年增加了40%,平均每支智慧型手機都有51GB的儲存容量 ,從而帶動市場對更高容量和更智慧儲存技術的需求提升。

針對數據密集、高階行動裝置進行最佳化
iNAND MC EU321是iNAND系列最新生力軍,該系列10多年來深受全球各大智慧型手機及平板電腦製造商的信賴。iNAND MC EU321嵌入式快閃記憶體連續寫入效能高達550MB/s,能提供卓越的使用者體驗。Western Digital目前已針對儲存解決方案提供OEM客戶樣本,容量最高為256GB 。



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