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Micron表示GDDR6速度最高可達20Gb/s,足以擊敗HBM2

文.圖/Cookie 2018-06-04 15:00:00

Micron(美光)發布了一份新的研究報告,該報告顯示,自家的GDDR6工作時脈彈性空間非常大,傳輸速度最高可達20Gb/s,遠超過先前的預期。Micron同時表示,可以期待NVIDIA下一代顯示卡將搭載GDDR6記憶體,其效能將會有突破性的增長。

在繞過儲存陣列時,I/O通道電源的電壓稍微提升了一些後,即可達到20Gb/s。


Micron在研究報告中談論了GDDR6的相關訊息,根據JEDEC固態技術協會的標準,GDDR6只要能達到14Gb/s即為合格,然而Micron最初測試就達到了16.5Gb/s,而且當繞過儲存陣列並將I/O通道電源的電壓稍微提升了一些後,即可達到20Gb/s。Micron的GDDR6在正常電壓下能夠達到16Gb/s、超頻版則是20Gb/s,實為一大突破。

Micron提到,他們非常有信心GDDR6的傳輸速率數據將超過JEDEC所定義的標準,而且與成本較高的HBM2相較下,GDDR6或許才是下一代顯示卡的主流。

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