雙方共同開發的技術解決方案，大幅降低物聯網及穿戴式產品耗電及晶粒尺寸

格芯 (GLOBALFOUNDRIES，原格羅方德) 與 eVaderis 共同宣布，將運用格芯的 22nm FD-SOI (22FDX®) 平台嵌入磁阻式非揮發式記憶體 (eMRAM) 技術著手開發超低耗電微控制器 (MCU) 的參考設計。

結合格芯 22FDX eMRAM優異的可靠性與多樣性，搭配上 eVaderis 的超低耗電 IP，雙方合作所提供的技術解決方案能夠支援大量應用，例如電池供電的物聯網產品、消費性及工業用微處理器，以及車用控制器。

eVaderis 的 MCU 設計可充分發揮 22FDX 平台的高效電源管理能力，相較於前代 MCU，可達成 10 倍以上的電池續航力，並大幅降低晶粒尺寸。這項藉由格芯 FDXcelerator™ 合作夥伴計畫 (FDXcelerator™ Partner Program) 開發的技術，可幫助設計人員將效能密度及彈性推向新的境界，提供更為小巧、符合成本效益並以電力為重點的單晶片解決方案。

eVaderis 總裁暨執行長 Jean-Pascal Bost 表示：「eVaderis 創新架構的超低耗電 MCU IP 設計以格芯的 22FDX eMRAM 技術為基礎打造，非常適合常時關閉 (normally-off)物聯網應用。以格芯的 eMRAM 做為工作記憶體，可讓MCU 區段的電力循環頻率提高，避免如在傳統 MCU 效能上造成的影響。

格芯嵌入式記憶體部門副總裁 Dave Eggleston 表示：「穿戴式和物聯網裝置需要耐久的電池續航力、更高的處理能力並與先進感測器進行整合。eVaderis 身為 FDXcelerator 合作夥伴，正在運用GF的 22FDX 及 eMRAM 開發最佳化 MCU 架構，幫助客戶達成更高的需求。」

格芯的 22FDX 及 eMRAM 共同開發的參考設計將於 2018 年第 4 季面世

現已提供 22FDX、eMRAM 和射頻解決方案的流程設計套件。多計畫晶圓 (MPW) 上的 22FDX eMRAM 現在已經開放，eMRAM 巨集現也已提供，搭載eFlash 和 SRAM兩種簡易介面選項，幫助客戶更容易地進行產品設計，格芯預計在2018年風險試產。