SSD
SMI發表全球首款SD 6.0控制晶片，並揭露3200MB/s級的新款SSD控制晶片，Computex 2017發表會現場直擊
文．圖／陳兆宏 2017-06-02 20:00:10
展出地點：台北君悅飯店，房間：1110室
SD 6.0規範出爐，SMI也推出對應於SD 6.0的控制晶片，支援最新A2與LV標準，具有超高隨機存取效能，可安裝至Android 6.0/7.0手機內並格式化成內部儲存空間，以安裝更多的App。
慧榮科技的SD 6.0控制晶片解決方案支援低電壓訊號(LVS，Low Voltage Signal)，可滿足低功耗SoC和功能命令佇列、快取記憶體功能和自我維護功能等需求，類似管理大量資料的SSD和嵌入式記憶體所使用的所有關鍵功能，從而支援使用高效能、高可靠性和長壽命擴充性儲存卡。此外，SD 6.0控制晶片解決方案最高可支援2TB的容量，並提供商用和工控等級的規格，為消費性、商用、工控及車用產品提供高效能及高可靠度的SD 6.0卡解決方案。
慧榮科技產品企劃部資深副總段喜亭表示：「擴展性儲存在行動通訊及工控的應用需求持續增溫。現在大部分的Android智慧型手機和行動裝置能支援用戶直接從可插拔卡執行應用程式。慧榮科技的SD 6.0新控制晶片能大幅提升記憶卡的效能，並為4K影片錄製和播放等高效能應用，以及需要高頻寬的多媒體應用程式的執行提供更大容量及更可靠的平台。」
慧榮科技的SD 6.0控制晶片解決方案規格：
SM2705EN和SM2707EN已進入送樣階段，多家OEM廠商進行設計中。
以下就透過現場照片與簡報，來介紹這次慧榮(SMI)推出的各種Flash解決方案。
SMI的SD 6.0控制晶片：SM2705EN(商規)與SM2707EN(工規)，具備A2效能，提供隨機存取速度高達4K/2K IOPS的表現
SMI的UFS 2.1控制晶片：SM2750(一般)、SM2752(高效能)，提供隨機存取速度高達50K/40K IOPS的表現
再來看看SMI的USB 3.1 Gen.1 控制晶片：SM3268、SM3269、SM3280，提供最高循序讀取效能達450MB/s的表現
SMI另有工控方案，這些是FerriSSD產品，提供商規(c-temp)與工規寬溫(i-temp)的使用環境
SMI的Ferri-eMMC產品，同樣提供商規(c-temp)與工規寬溫(i-temp)的規格，2017年第三季供貨
接下來，SMI開始介紹下世代的SD記憶卡
這頁簡報主要是講SD卡的應用市場，包括新的市場(如空拍機、行車記錄器、監控設備)，以及既有的最大市場(智慧型手機)。其中，由於Android 6.x/7.x支援App可以安裝到記憶卡，因此越來越多的新Android手機紛紛內建microSD插槽，尤其是低價手機更是將SD插槽列為必要。而記憶卡的容量每年增加35%
這頁簡報主要是講全球的智慧型手機市場分佈。圖左的藍色長條圖代表Android與其他平台的手機的預估銷售量，而圖右為各手機廠商的市占率
這頁是說明高階手機(綠色)大多直接以內建記憶體為主，可能不見得會內建microSD插槽，而中階(紅色)與入門(藍色)手機則大多內建較少的記憶體，因此大多會提供microSD插槽，讓消費者可以升級容量
這頁是講智慧型手機內建記憶體插槽的市場成長趨勢，在2015年Q3因為Android 5.0推出，不支援App直接存取SD卡內容、不能安裝App至SD卡，導致當時新手機內建microSD插槽的數量降低(82%)，而最近由於Android 6.x/7.x已可支援App安裝於SD卡，因此這段時間的新手機開始紛紛內建microSD插槽，到2017年第一季為止，全世界廠商所發表的296支新手機中，就有97%的手機都有內建microSD插槽！為前所未有的高！
microSD插槽回來囉！全都拜Android 6.0所賜！因為在Android 5.0時代，當時就有3款手機把microSD插槽拿掉，被消費者譙到翻掉！而Android 6.x/7.x已經開始支援microSD卡能夠格式化成內部儲存空間，以安裝App，因此新的手機又開始紛紛將microSD插槽內建進去了！
這頁講的是SD卡技術標準的發展，從2.0、3.0、4.0，到最近的5.0、5.1，以及最新的6.0，原本在5.0以前都是針對錄影、影像需求來制定標準，推出所謂的Class 10、U1、U2、U3，還有什麼V6-V90的東西。但是，SDA協會卻忽略了「手機」市場才是未來趨勢，因此從5.1開始便針對手機記憶卡需要更快速的IOPS來制定標準，推出A1標準，以及6.0推出A2標準
SD 6.0規格最主要的特色，就是推出了A2的標準，符合A2標準的記憶卡，必須具備讀寫IOPS達4K/2K的水準，且持續循序存取要高達10MB/s，才可以標示A2這個Logo。至於新一代以1.8V來驅動的主控端，也有對應的LVS標準之記憶卡，若裝置或記憶卡能支援LVS (1.8V)驅動，即可標示Lv的Logo
這頁主要說SD 6.0的A1與A2規格標準，適合需要更快效能的Android App使用
這頁主要是說明要標上A1或A2等級的記憶體，必須通過那些測試驗證，同時必須具有哪些先進的特色
這頁主要是說明SD規格的發展藍圖，到5.1才開始針對IOPS的效能來定義標準
這頁主要是說明SD 6.0 LVS的記憶卡，一般3.3V的主控端，可以插入傳統卡與LVS卡，而在新的1.8V主控端，就只能插支援LVS的記憶卡
這頁就是簡介SMI兩款SD 6.0快閃記憶體控制晶片的規格與效能
接下來就讓我們來看一下SMI在行動內嵌儲存的市場規劃與產品布局
這頁是SMI在eMMC 4.5、5.0、5.1，到最新eMMC 5.2 LDPC的產品規劃
這頁主要是講SMI的eMMC 4.5/5.0/5.1與UFS 2.1(HSG3 x1/x2)之效能等級
這頁主要是講SMI的eMMS與UFS控制晶片特色
這頁介紹UFS與eMMC的規格不同處
若將UFS做成記憶卡，其與傳統卡(SD/MMC)的不同處比較
目前SMI為建構UFS記憶卡生態圈，目前已推出了USB轉UFS的橋接晶片，可提供量產與讀卡機使用
接下來看看SMI的SSD控制晶片與樣品。此為BGA SSD，採用SM2263XT控制晶片
SMI的SSD控制晶片與樣品，此為M.2 SSD，使用的是SM2263XT控制晶片，可免配置DRAM當緩衝區，節省BOM-cost
這個M.2 SSD，就是採用SM2262控制晶片，支援DDR4記憶體當緩衝區。提供高達3200/1700MB/s的循序讀寫效能！
來看實際測試數據，搭載SM2262的M.2 SSD，循序讀寫效能破3200/1700MB/s，隨機讀寫效能也高達370K/300K IOPS
這是採用免DRAM的SSD控制晶片：SM2263XT的實測數據，循序讀寫效能達2200/1500MB/s，隨機讀寫效能也高達250K/220K IOPS
目前全世界有近100種SSD，已經採用SMI的SSD控制晶片。目前全世界的SSD中，有超過30%是內建SMI的SSD控制晶片喔！
廠商電話：03-552-6888
廠商網址： www.siliconmotion.com
A1效能還嫌慢嗎？SD 6.0提供更快的A2效能等級
全球快閃記憶體控制晶片領導品牌慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation, 納斯達克交易代碼: SIMO)，宣佈推出全新的SD 6.0控制晶片解決方案，該控制晶片支援SD 6.0，並滿足新的A2應用效能標準，其最低隨機讀/寫效能高達4,000/2,000 IOPS。擴充性儲存卡搭載慧榮SD 6.0新控制晶片後將大幅提升隨機存取效能，讓行動裝置使用者能夠直接從SD卡執行Android 6.x/7.x的應用程式，並支援4K影片錄製和播放以及AR/VR等需要高頻寬的應用。
SD 6.0規範出爐，SMI也推出對應於SD 6.0的控制晶片，支援最新A2與LV標準，具有超高隨機存取效能，可安裝至Android 6.0/7.0手機內並格式化成內部儲存空間，以安裝更多的App。慧榮科技的SD 6.0控制晶片解決方案支援低電壓訊號(LVS，Low Voltage Signal)，可滿足低功耗SoC和功能命令佇列、快取記憶體功能和自我維護功能等需求，類似管理大量資料的SSD和嵌入式記憶體所使用的所有關鍵功能，從而支援使用高效能、高可靠性和長壽命擴充性儲存卡。此外，SD 6.0控制晶片解決方案最高可支援2TB的容量，並提供商用和工控等級的規格，為消費性、商用、工控及車用產品提供高效能及高可靠度的SD 6.0卡解決方案。
慧榮科技產品企劃部資深副總段喜亭表示：「擴展性儲存在行動通訊及工控的應用需求持續增溫。現在大部分的Android智慧型手機和行動裝置能支援用戶直接從可插拔卡執行應用程式。慧榮科技的SD 6.0新控制晶片能大幅提升記憶卡的效能，並為4K影片錄製和播放等高效能應用，以及需要高頻寬的多媒體應用程式的執行提供更大容量及更可靠的平台。」
慧榮科技的SD 6.0控制晶片解決方案規格：
SM2705EN和SM2707EN已進入送樣階段，多家OEM廠商進行設計中。
不只SD 6.0，SMI也展示最新SSD與UFS控制器，發表會現場直擊！
SMI除了發表兩款SD 6.0控制晶片：SM2705EN(商規)與SM2707EN(工規)之外，也同時展示自家的其他產品，包括UFS 2.1控制晶片：SM2750(一般)、SM2752(高效能)、USB 3.1 Gen.1控制晶片：SM3268、SM3269、SM3280等產品，還有工控、車用領域專用的FerriSSD、Ferri-eMMC等產品，提供其下游客戶做各種儲存解決方案。以下就透過現場照片與簡報，來介紹這次慧榮(SMI)推出的各種Flash解決方案。
SMI的SD 6.0控制晶片：SM2705EN(商規)與SM2707EN(工規)，具備A2效能，提供隨機存取速度高達4K/2K IOPS的表現
SMI的UFS 2.1控制晶片：SM2750(一般)、SM2752(高效能)，提供隨機存取速度高達50K/40K IOPS的表現
再來看看SMI的USB 3.1 Gen.1 控制晶片：SM3268、SM3269、SM3280，提供最高循序讀取效能達450MB/s的表現
SMI另有工控方案，這些是FerriSSD產品，提供商規(c-temp)與工規寬溫(i-temp)的使用環境
SMI的Ferri-eMMC產品，同樣提供商規(c-temp)與工規寬溫(i-temp)的規格，2017年第三季供貨了解一下SD 6.0的市場發展與SMI的產品規劃
接下來，SMI開始介紹下世代的SD記憶卡
這頁簡報主要是講SD卡的應用市場，包括新的市場(如空拍機、行車記錄器、監控設備)，以及既有的最大市場(智慧型手機)。其中，由於Android 6.x/7.x支援App可以安裝到記憶卡，因此越來越多的新Android手機紛紛內建microSD插槽，尤其是低價手機更是將SD插槽列為必要。而記憶卡的容量每年增加35%
這頁簡報主要是講全球的智慧型手機市場分佈。圖左的藍色長條圖代表Android與其他平台的手機的預估銷售量，而圖右為各手機廠商的市占率
這頁是說明高階手機(綠色)大多直接以內建記憶體為主，可能不見得會內建microSD插槽，而中階(紅色)與入門(藍色)手機則大多內建較少的記憶體，因此大多會提供microSD插槽，讓消費者可以升級容量
這頁是講智慧型手機內建記憶體插槽的市場成長趨勢，在2015年Q3因為Android 5.0推出，不支援App直接存取SD卡內容、不能安裝App至SD卡，導致當時新手機內建microSD插槽的數量降低(82%)，而最近由於Android 6.x/7.x已可支援App安裝於SD卡，因此這段時間的新手機開始紛紛內建microSD插槽，到2017年第一季為止，全世界廠商所發表的296支新手機中，就有97%的手機都有內建microSD插槽！為前所未有的高！
microSD插槽回來囉！全都拜Android 6.0所賜！因為在Android 5.0時代，當時就有3款手機把microSD插槽拿掉，被消費者譙到翻掉！而Android 6.x/7.x已經開始支援microSD卡能夠格式化成內部儲存空間，以安裝App，因此新的手機又開始紛紛將microSD插槽內建進去了！
這頁講的是SD卡技術標準的發展，從2.0、3.0、4.0，到最近的5.0、5.1，以及最新的6.0，原本在5.0以前都是針對錄影、影像需求來制定標準，推出所謂的Class 10、U1、U2、U3，還有什麼V6-V90的東西。但是，SDA協會卻忽略了「手機」市場才是未來趨勢，因此從5.1開始便針對手機記憶卡需要更快速的IOPS來制定標準，推出A1標準，以及6.0推出A2標準
SD 6.0規格最主要的特色，就是推出了A2的標準，符合A2標準的記憶卡，必須具備讀寫IOPS達4K/2K的水準，且持續循序存取要高達10MB/s，才可以標示A2這個Logo。至於新一代以1.8V來驅動的主控端，也有對應的LVS標準之記憶卡，若裝置或記憶卡能支援LVS (1.8V)驅動，即可標示Lv的Logo
這頁主要說SD 6.0的A1與A2規格標準，適合需要更快效能的Android App使用
這頁主要是說明要標上A1或A2等級的記憶體，必須通過那些測試驗證，同時必須具有哪些先進的特色
這頁主要是說明SD規格的發展藍圖，到5.1才開始針對IOPS的效能來定義標準
這頁主要是說明SD 6.0 LVS的記憶卡，一般3.3V的主控端，可以插入傳統卡與LVS卡，而在新的1.8V主控端，就只能插支援LVS的記憶卡
這頁就是簡介SMI兩款SD 6.0快閃記憶體控制晶片的規格與效能了解一下UFS的市場發展與SMI的產品規劃
接下來就讓我們來看一下SMI在行動內嵌儲存的市場規劃與產品布局
這頁是SMI在eMMC 4.5、5.0、5.1，到最新eMMC 5.2 LDPC的產品規劃
這頁主要是講SMI的eMMC 4.5/5.0/5.1與UFS 2.1(HSG3 x1/x2)之效能等級
這頁主要是講SMI的eMMS與UFS控制晶片特色
這頁介紹UFS與eMMC的規格不同處
若將UFS做成記憶卡，其與傳統卡(SD/MMC)的不同處比較
目前SMI為建構UFS記憶卡生態圈，目前已推出了USB轉UFS的橋接晶片，可提供量產與讀卡機使用下世代的SSD控制器，破3200MB/s不成問題
接下來看看SMI的SSD控制晶片與樣品。此為BGA SSD，採用SM2263XT控制晶片
SMI的SSD控制晶片與樣品，此為M.2 SSD，使用的是SM2263XT控制晶片，可免配置DRAM當緩衝區，節省BOM-cost
這個M.2 SSD，就是採用SM2262控制晶片，支援DDR4記憶體當緩衝區。提供高達3200/1700MB/s的循序讀寫效能！
來看實際測試數據，搭載SM2262的M.2 SSD，循序讀寫效能破3200/1700MB/s，隨機讀寫效能也高達370K/300K IOPS
這是採用免DRAM的SSD控制晶片：SM2263XT的實測數據，循序讀寫效能達2200/1500MB/s，隨機讀寫效能也高達250K/220K IOPS台灣之光，台廠快閃記憶體控制晶片的最佳典範
目前全世界有近100種SSD，已經採用SMI的SSD控制晶片。目前全世界的SSD中，有超過30%是內建SMI的SSD控制晶片喔！廠商資訊
廠商名稱：Silicon Motion Inc. - 慧榮科技股份有限公司廠商電話：03-552-6888
廠商網址： www.siliconmotion.com
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