看著HBM 2E超高頻寬記憶體被三星搶走了首發，身為同鄉的韓國記憶體製造商SK海力士內心顯然很不是滋味，因此在前陣子就有傳出SK海力士已經完成下一代HBM 3記憶體的研發工作，如今在今年舉辦的OCP(Open Compute Project) 2021上正式發表了此記憶體的各項規格。


現階段，負責規範的記憶體設計的JEDEC聯盟還沒有對HBM 3記憶體做出明確的定義，但SK海力士已經預先更改了自家HBM 3的規格，將原本的5.2 Gbps傳輸頻寬提升成6.4 Gbps，暫且不說究竟JEDEC正式定調的標準為何，頻寬這種東西當然是多多益善。

新升級的6.4 Gbps HBM3依然採用1024-bit匯流排，這點與歷代HBM記憶體的設計是相同的，所以HBM 3的高頻寬主要還是來自於更高的工作時脈以及晶片堆疊數量提升到了12層，讓單顆HBM 3記憶體的頻寬可以從461 GB/s大幅上升到了819 GB/s，容量則從HBM 2E的16 GB提升到了24 GB。



以目前AMD發表的Instinct MI250X為例，該產品使用單顆頻寬為460.8 GB/s的HBM 2E記憶體，由於Instinct MI250X一共串聯8組記憶體的關係，所以記憶體的容量為128 GB(16GBx8)，總頻寬則約3.68 TB/s。



而台積電已經準備好了新的CoWoS-S封裝技術，可以一次裝入12顆HBM記憶體，在未來不改動其他條件的前提下，若真的選用的HBM 3記憶體產品的話，記憶體容量將一口氣來到288 GB(24x12)，總頻寬更是能夠達到驚人9.8 TB/s(819 GBx12)，讓下一代工業級運算產品帶來更為充足的運算通道與容量需求。




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