全球先進晶圓代工大廠格芯宣布，基於ArmR為架構的高密度 3D 測試晶片已成功流片生產，將實現更高水準 AI/ML 與高端消費者行動及無線解決方案等運算應用的系統效能和能效。這款新推出的晶片採用格芯 12nm領先性能版本（12LP）FinFET 製程製造，運用 Arm 3D 網狀互連技術，讓資料數據更直接地傳輸至其他内核，達到延遲最小化，提高資料傳輸速率，滿足資料中心、邊緣運算和高端消費性電子產品應用的需求。

此款晶片顯示Arm和格芯在研發差異化解決方案方面取得快速進展，提升可擴充高效能運算的裝置密度和效能，從而實現可伸縮高性能運算。此外，兩公司還驗證了一種 3D 可測試設計（Design-for-Test，DFT）方法，使用格芯的混合式晶圓對晶圓接合，每平方公厘多達 100 萬個 3D 連接，拓展 12 nm 設計在未來的應用。

Arm研發部副總裁 Eric Hennenhoefe 表示：「Arm的 3D 互連技術能使半導體產業強化摩爾定律，使運算應用更加多樣化。格芯在晶圓製造和先進封裝能力方面的專業知識，結合Arm技術之下，為共同的合賦予我們共同的合作夥伴創造更多差異化功能，為進軍下一代高效能運算領域開疆闢土。」

格芯研發平台首席技術專家 John Pellerin 表示：「在大數據和認知運算時代，先進封裝比以往扮演更重要的角色。人工智慧的應用以及高效節能、高產能互連方面的需求，正透過先進封裝技術帶動加速器的發展。我們很高興能與Arm這樣的創新型合作夥伴攜手，提供先進的封裝解決方案，進而整合針對 SFF 規格（Small Form Factor）的邏輯微縮、記憶體頻寬和 RF 效能優化的各種節點技術。合作將使我們發現先進封裝的新視角，助力我們共同的客戶能更有效創建完備的差異化解決方案。」