當今的許多記憶體模組廠所推出的DDR4超頻記憶體，幾乎都是採用Samsung DDR4 B-die的顆粒，主要是因為B-die具備高時脈、低延遲、但也相對消耗較高電壓的特性，再搭配高階的Intel或AMD主機板可以輕鬆超頻，因此深受讓許多效能玩家與超頻玩家的青睞。

由於當今DDR4主流平台已經提高到DDR4-2666、2933了，而採用Samsung DDR4 B-die的普通DDR4-2133記憶體模組，都能輕鬆跑到3200甚至更高的時脈，因此B-die衍然成為當今記憶體界火紅的超頻聖品。

產業需要更高容量，致產能將以生產更高密度的A或M-die為主力

雖說B-die的超頻能力非常強勁，但由於單顆只能做到8Gb (1GB)的容量，因此以一條U-DIMM單面打8顆，就算雙面都打滿B-die (以及C-die或D-die)顆粒的話，容量最多也只能到16GB。相對於A-die (以及M-die)單顆可以做到16Gb (2GB)，讓單條U-DIMM可以做到最高32GB的容量來說，後者似乎更適合未來的科技發展需求。

由於近年來科技的發展，開始朝向處理更多的資料，儲存更多資訊，因此世界各地的數據中心需要的更多的儲存容量與記憶體需求。正由於記憶體容量的需求強勁，使得Samsung也調整了其產品生產策略，在該公司所公佈的五月份DDR4產品指南中，可以發現在Table 1的PC與Server端專用的DDR4 SDRAM顆粒中，將調整成以生產密度更高的A-die (以及M-die)的記憶體顆粒為主，至於B-die則在2019 Q2打入EOL狀態，亦即不再生產。也就是說，8GB B-die的BCPB/RC/TD (速度DDR4-2133/2400/2666)到Q3之後就看不到了！



顆粒是如此，那麼模組呢？既然Samsung是以推出更高容量的記憶體為主，那麼Samsung自家推出的記憶體模組，包括最大宗的Non-ECC SO-DIMM以及Table 9的Non-ECC U-DIMM部份，採用低密度B-die的產品早在2019 Q1就打入EOL狀態了。至於其他產品，像是ECC U-DIMM、ECC SO-DIMM、REG-DIMM、LR-DIMM等等，都還是可以看得到採用B-die的顆粒，且是MP(量產)狀態。

B-die顆粒還是有，只是留給Module House去打模組

這樣的話，以後買不到像是DDR4-3200這樣的超頻記憶體了嗎? 別擔心！再看Table 2的Consumer市場部份，B-die顆粒還是有的！包含BCRC/TD/WE (速度為DDR4-2400/2666/3200)等顆粒，還是在MP(量產)狀態，只是Samsung不會再拿這些顆粒來打自家品牌的模組。這些顆粒還是會留給那些Module House(記憶體模組廠)去生產自家的超頻記憶體。



所以說，這有點像是Flash顆粒一樣，記憶體原廠還是會推出以TLC (甚至QLC)顆粒為主的消費性SSD產品，至於你說MLC (甚至SLC)顆粒是否停產了呢？其實還是有在生產，只是是很少量生產，或是接單生產，主要是給一些模組廠拿去生產利基性產品，像是企業用SSD、工控SSD…等等。同理，DDR4顆粒的部份，記憶體原廠為了提升記憶體密度，當然會以利潤較高的A-die(或M-die)為主，因此把這部份產能提升。至於超頻性好的B-die，當然還是會預留產能給Module House去採購，以供貨給超頻市場使用，這樣電競市場才能繼續延續呀！

也因此，要是你看到別人說B-die快EOL了，那只是DDR4-2666以下速度的顆粒不生產了，可沒說是DDR4-3200等級的顆粒快EOL了喔！