焦點
三種規格滿足不同面向的晶片設計,台積電公開N3 FINFLEX技術
文.圖/Lucky 2022-06-17 11:01:30
在過去有指出台積電的3nm製程將會區分為高性能和省電兩種製程版本,而在今年的2022北美技術論壇上,官方帶來了名為FINFLEX技術,將提供高性能、平衡、省電三種晶片生產方案,為不同功能的晶片提供更為彈性化的選擇。
台積電表示今年2022年3nm製程確定步入量產,接著會依序推出改良版的N3E、N3P、N3X製程,並預計在2025年進入到2nm製程,在效能上可以比3nm高出10~15%,且可能因為從FinFET轉換到GAA架構的關係,功耗還可大幅降低25~30%。
不過2nm製程畢竟還是多年後才有機會見到,在投資未來的同時,還得顧好現有客戶需求,台積電表示考慮到現在越來越多的晶片設計都採用多架構的形式,例如手機處理器就有大、中、小核三種核心,小核心講究省電、中核心要省電與效能兼具、大核心則是效能越高越好,也因此台積電為3nm製程推出了FINFLEX技術,提供3-2 FIN、2-2 FIN、2-1 FIN三種效能與電力取向不同的生產規格。
3-2 FIN:效能取向製程,能夠讓晶片核心擁有最高的時脈、最高的效能,滿足重度運算的功能需求。與5nm製程相比,效能能夠提升33%、功耗減少12%。
2-2FIN:平衡取向製程,在保有足夠的效能的同時,也兼顧整體功耗和整體晶片尺寸。對比5nm製程,效能成長23%、功耗減少22%。
2-1 FIN:專為講究電力續行所打造的製程,功耗、漏電程度最低,且有著三種製程中最高的電晶體密度。比起5nm製程,效能增長約11%,功耗大幅減少30%。
台積電3nm FINFLEX技術將全系繼續使用FinFET架構,期望利用更多的方案精準協助客戶完成最符合需求的晶片,打造效能、功耗、晶片尺寸的最佳化方案。
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台積電表示今年2022年3nm製程確定步入量產,接著會依序推出改良版的N3E、N3P、N3X製程,並預計在2025年進入到2nm製程,在效能上可以比3nm高出10~15%,且可能因為從FinFET轉換到GAA架構的關係,功耗還可大幅降低25~30%。
不過2nm製程畢竟還是多年後才有機會見到,在投資未來的同時,還得顧好現有客戶需求,台積電表示考慮到現在越來越多的晶片設計都採用多架構的形式,例如手機處理器就有大、中、小核三種核心,小核心講究省電、中核心要省電與效能兼具、大核心則是效能越高越好,也因此台積電為3nm製程推出了FINFLEX技術,提供3-2 FIN、2-2 FIN、2-1 FIN三種效能與電力取向不同的生產規格。
3-2 FIN:效能取向製程,能夠讓晶片核心擁有最高的時脈、最高的效能,滿足重度運算的功能需求。與5nm製程相比,效能能夠提升33%、功耗減少12%。
2-2FIN:平衡取向製程,在保有足夠的效能的同時,也兼顧整體功耗和整體晶片尺寸。對比5nm製程,效能成長23%、功耗減少22%。
2-1 FIN:專為講究電力續行所打造的製程,功耗、漏電程度最低,且有著三種製程中最高的電晶體密度。比起5nm製程,效能增長約11%,功耗大幅減少30%。
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