在過去有指出台積電的3nm製程將會區分為高性能和省電兩種製程版本，而在今年的2022北美技術論壇上，官方帶來了名為FINFLEX技術，將提供高性能、平衡、省電三種晶片生產方案，為不同功能的晶片提供更為彈性化的選擇。



台積電表示今年2022年3nm製程確定步入量產，接著會依序推出改良版的N3E、N3P、N3X製程，並預計在2025年進入到2nm製程，在效能上可以比3nm高出10～15%，且可能因為從FinFET轉換到GAA架構的關係，功耗還可大幅降低25～30%。



不過2nm製程畢竟還是多年後才有機會見到，在投資未來的同時，還得顧好現有客戶需求，台積電表示考慮到現在越來越多的晶片設計都採用多架構的形式，例如手機處理器就有大、中、小核三種核心，小核心講究省電、中核心要省電與效能兼具、大核心則是效能越高越好，也因此台積電為3nm製程推出了FINFLEX技術，提供3-2 FIN、2-2 FIN、2-1 FIN三種效能與電力取向不同的生產規格。



3-2 FIN：效能取向製程，能夠讓晶片核心擁有最高的時脈、最高的效能，滿足重度運算的功能需求。與5nm製程相比，效能能夠提升33%、功耗減少12%。

2-2FIN：平衡取向製程，在保有足夠的效能的同時，也兼顧整體功耗和整體晶片尺寸。對比5nm製程，效能成長23%、功耗減少22%。

2-1 FIN：專為講究電力續行所打造的製程，功耗、漏電程度最低，且有著三種製程中最高的電晶體密度。比起5nm製程，效能增長約11%，功耗大幅減少30%。



台積電3nm FINFLEX技術將全系繼續使用FinFET架構，期望利用更多的方案精準協助客戶完成最符合需求的晶片，打造效能、功耗、晶片尺寸的最佳化方案。




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