Western Digital (威騰)與Kioxia (鎧俠，前名為東芝記憶體)於今日發表最新一代的3D NAND快閃記憶體，這次的第五代BiCS 3D NAND技術，採用512 Gbit (64GB) TLC形式來生產，並將於2020年第一季開始提供樣品，將有望讓未來SSD的容量再向上突破，以滿足越來越資料量爆增的數位生活應用，包含行動裝置、消費性與企業專用SSD、智慧物聯產品，以及新興的5G網路應用、AI與自駕車等等領域。



Western Digital新聞稿：這裡

Kioxia 新聞稿：這裡

不是先前傳的128層，而是比較奇怪的112層

這次的BiCS5 3D NAND Flash技術，採用了WD與Kioxia的第二代String Stacking (字串堆疊)技術，可能採用了2組56層晶片來合併封裝，達到112層，並可用來生產1T bit TLC和1.33T bit QLC的die。BiCS5的112層相較於上一代BiCS4的96層來說，提升了16.6%。



不過，WD和Koxia聲稱這代的密度增加了40% (應該是拿112L 512Gb TLC來跟96L 256Gb TLC來做相比)，因此可以讓儲存裝置的水平面Layout更小，或讓相同面積的儲存裝置更大！據悉可以提升容量約20%，再搭配其採用記憶體的介面存取速度也提升50%，使其頻寬也跟絕大多數96L層的競爭對手媲美，達到1.2GT/s。簡單來說，這次BiCS5的容量提升、速度也變快了！只要新設計的Flash Controller能妥善運用BiCS5的優點，就能設計出效能又快、容量更高的SSD產品了！

由於這個季度才提供樣本，真正以BiCS5 3D NAND Flash來設計的SSD量產品，最早可能也要等到2020年底才能在市場上看到！此外，WD先前也表示了，他們打算讓過渡到BiCS5 (即96L到112L)所需的資本支出(CapEx)能夠低於先前過渡到BiCS4 (64L到96L)時，以扭轉世代交替時的價格上漲的趨勢。這也意味著，BiCS5的世代交替時間，將會比BiCS4的時間還要更久！



因此，以現階段來說，96層的BiCS4還會是主力生產的產品(價格相對於新出來的BiCS5便宜)，等到112層的BiCS5的量達到一定程度，整體成本效益大過於BiCS4之後，市場上才會移轉到以BiCS5為主的產品。